集电结:反偏,通过集电结的电流主要是漂移电流,有: cN发射区注入基区的电子少部分与基区空穴复合,大部分漂 移至集电区形成漂移电流IcN,这个电流大小基本与反偏电压 无关,但由于基区掺杂浓度很低,且基区宽度很薄,一般μm 数量级,所以N与接近,两者仅相差一个复合电流,这样 IcN同IN一样受发射结正偏电压控制(见PN结伏安关系方程) Ic2基区中的热平衡少子自由电子漂移至集电区形成的漂移电 流,非常小,且基本与反偏电压大小无关。 发射: 集电结 N CBO CN2集电结：反偏，通过集电结的电流主要是漂移电流，有： ICN1 发射区注入基区的电子少部分与基区空穴复合，大部分漂 移至集电区形成漂移电流ICN1 ，这个电流大小基本与反偏电压 无关，但由于基区掺杂浓度很低，且基区宽度很薄，一般μm 数量级，所以ICN1与IEN接近，两者仅相差一个复合电流，这样 ICN1同IEN一样受发射结正偏电压控制（见PN结伏安关系方程） ICN2 基区中的热平衡少子自由电子漂移至集电区形成的漂移电 流，非常小，且基本与反偏电压大小无关。 N+ P N R1 R2 IEN IEP ICN1 ICN2 ICP } ICBO IB I IC E 发射结 集电结