ρ集电区中的热平衡少子空穴漂移至基区形成的漂移电流,非 常小,且基本与反偏电压大小无关 Ic=IcN十ICN2+1 CP CNI 十 CBO CBO CN2 十 CP Ic中的主要成分LcN受发射结正偏电压控制,即I的大小基本 只受发射结正偏电压控制,而集电结本身的热平衡少子形成 的漂移电流IcBo又称反向饱和电流基本不受发射结正偏电压 控制,也基本与反偏电压大小无关,是集电结寄生电流。 N RIICP 集电区中的热平衡少子空穴漂移至基区形成的漂移电流，非 常小，且基本与反偏电压大小无关。 IC = ICN1十ICN2十ICP = ICN1十ICBO ICBO = ICN2十ICP IC 中的主要成分ICN1受发射结正偏电压控制，即IC的大小基本 只受发射结正偏电压控制，而集电结本身的热平衡少子形成 的漂移电流ICBO又称反向饱和电流基本不受发射结正偏电压 控制，也基本与反偏电压大小无关，是集电结寄生电流。 N+ P N R1 R2 IEN IEP ICN1 ICN2 ICP } ICBO IB I IC E