EXTRINSIC SEMICONDUCTION n-Type EXTRINSIC SEMICONDUCTOR 所有工业化的半导体都是 extrinsIc;其电性质由 杂质所决定 Extrinsic半导体( both n-andp-type)都由高纯度单 aea aa. a 质制得,杂质浓度约107at%制备过程中人为掺 入预定量的电子供体或受体。这种掺混称为 :嗇:嗇:嗇:需:壽需:需 doping(掺杂) 由电子 n>> p 供体态 0=n p-Type EXTRINSIC SEMICONDUCTOR 息盒 空穴价5 EXTRINSIC SEMICONDUCTION 所有工业化的半导体都是extrinsic; 其电性质由 杂质所决定。 Extrinsic 半导体(both n- and p-type) 都由高纯度单 质制得，杂质浓度约10-7 at%. 制备过程中人为掺 入预定量的电子供体或受体。这种掺混称为 doping（掺杂）. Si (4+) P (5+) Si (4+) Si (4+) Si (4+) Si (4+) Si (4+) Si (4+) Si (4+) Si (4+) Si (4+) Si (4+) n-Type EXTRINSIC SEMICONDUCTOR Si (4+) P (5+) Si (4+) Si (4+) Si (4+) Si (4+) Si (4+) Si (4+) Si (4+) Si (4+) Si (4+) Si (4+) E Field Eg Conduction band Valence band Band Energy gap 供体态 传导带 中的自 由电子 E’g e n e n p σ ≅ µ >> Si (4+) Si (4+) Si (4+) Si (4+) Si (4+) Si (4+) Si (4+) Si (4+) Si (4+) Si (4+) Si (4+) B (3+) Hole p-Type EXTRINSIC SEMICONDUCTOR Si (4+) Si (4+) Si (4+) Si (4+) Si (4+) Si (4+) Si (4+) Si (4+) Si (4+) Si (4+) Si (4+) B (3+) E Field 空穴价 Eg Conduction band Valence band Band Energy gap 受体态