Introduction to the Experiment of Semiconductor QCE Measurement by Admittance Spectroscopy by Zhu hai 在得到了多个频率f测试的导纳峰温度Tm之后,根据上式可以将 n对作线性拟合,其斜率即可推出激活能Ea这就是多频测试法。 若考虑到在Tm附近,Gp的变化主要是Gw决定的,Cw和Ca随温度 的变化可以忽略,将Cw和Ca的值代入Gp表达式,解出Gw在Tm附近 取若干数据,根据G表达式将1n对作线性拟合,其斜率即可推出 激活能Ea。这就是单频测试法 载流子热发射模型的物理过程是:在交变小电压信号作用下,样 品势垒区的能带随之变化,这将引起势垒区边缘的缺陷深能级与半导 体导带或价带之间载流子的发射与俘获。对于量子阱结构样品,势阱 内的分立能级就相当于这里的缺陷深能级,原理类似,如下图所示, 短虚线为变化的价带。 E 深能级以及能带示意 随着电压信号的变化,单位时间量子阱内的载流子数目发生的变 化就是样品的电导。在交变小信号圆频率为ω时,令势阱中电荷变化 满足dQ=βdV。那么量子阱电容Cw、电导Gv可以表示为 ep+Introduction to the Experiment of Semiconductor QCE Measurement by Admittance Spectroscopy by ZHU Hai 10 / 20 在得到了多个频率 测试的导纳峰温度T 之后，根据上式可以将 ln 对 作线性拟合，其斜率即可推出激活能E 。这就是多频测试法。 若考虑到在T 附近，G 的变化主要是G 决定的，C 和C 随温度 的变化可以忽略，将C 和C 的值代入G 表达式，解出G 。在T 附近 取若干数据，根据G 表达式将ln 对 作线性拟合，其斜率即可推出 激活能E 。这就是单频测试法。 载流子热发射模型的物理过程是：在交变小电压信号作用下，样 品势垒区的能带随之变化，这将引起势垒区边缘的缺陷深能级与半导 体导带或价带之间载流子的发射与俘获。对于量子阱结构样品，势阱 内的分立能级就相当于这里的缺陷深能级，原理类似，如下图所示， 短虚线为变化的价带。 随着电压信号的变化，单位时间量子阱内的载流子数目发生的变 化就是样品的电导。在交变小信号圆频率为ω时，令势阱中电荷变化 满足dQ = β dV。那么量子阱电容C 、电导G 可以表示为： C = β e e + ω G = β e ω e + ω 深能级以及能带示意 Ev Ef