2、变面积型电容传感器 变面积型电容传感器中,平板形结构对极距变化特 别敏感,测量精度受到影响。而圆柱形结构受极板径 向变化的影响很小,成为实际中最常采用的结构,其 中线位移单组式的电容量C在忽略边缘效应时为 2丌E·l 外圆筒与内圆柱覆盖部分的长度; 圆筒内半径和内圆柱外半径 当两圆筒相对移动Δ时,电容变化量△C为 △C=2丌a 278(-△)2兀 △l (r2/n n(nn In(n2/n) 这类传感器具有良好的线性,大多用来检测位移等参数2、变面积型电容传感器 变面积型电容传感器中，平板形结构对极距变化特 别敏感，测量精度受到影响。而圆柱形结构受极板径 向变化的影响很小，成为实际中最常采用的结构，其 中线位移单组式的电容量C在忽略边缘效应时为 l—外圆筒与内圆柱覆盖部分的长度； r2、r1 —圆筒内半径和内圆柱外半径。 当两圆筒相对移动Δl时，电容变化量ΔC为 ln( / ) 2 2 1 r r l C  =   l l C r r l r r l l r r l C  =  = −   = − 0 2 1 2 1 2 1 ln( / ) 2 ln( / ) 2 ( ) ln( / ) 2      这类传感器具有良好的线性,大多用来检测位移等参数