王超等：原位合成SiC颗粒增强MoSi,基复合材料的900℃长期氧化行为 ·1175· num Disilicide Matrix Composites:China Patent CN01141978.4. Sim,2013,49(11):1303 2002-04-17 (张来启，潘昆明，段立辉，等.原位合成MSi2-SiC复合材 (孙祖庆，张来启，杨王玥，等.一种制备碳化硅颗粒增强二 料在500℃的氧化行为.金属学报，2013,49(11)：1303) 硅化钥基复合材料的原位复合方法：中国专利CN01141978. [18]Zhang L Q,Duan L H.Lin J P.Oxidation behavior of in-situ 4.2002-04-17) synthesized MoSi,-SiC composites at 700C.Chin J Mater Res, [15]Zhang L Q,Sun Z Q,Zhang Y,et al.Microstructure and me- 2015,29(8):561 chanical properties of in situ SiC particulates reinforced MoSiz (张来启，段立辉，林均品.原位合成MoSi2-SiC复合材料 matrix composite.Acta Metall Sin,2001,37(3):325 700℃的氧化行为.材料研究学报，2015,29(8)：561) (张来启，孙祖庆，张跃，等.原位SiC颗粒增强MSi2基复 [19]Wirkus C D,Wilder D R.High-temperature oxidation of molyb- 合材料的显微组织和力学性能.金属学报，2001,37(3)： denum disilicide.J Am Ceram Soc,1966,49(4):173 325) [20]Chou TC,Nieh TG.Comparative studies on the pest reactions [16]Fu X W,Yang W Y,Zhang LQ,et al.High temperature creep of single-and poly-erystalline MoSiScripta Metall Mater,1992. behavior of in situ synthesized MoSi2-30%SiC composite.Acta 27(1):19 Metall Sin,2002,38(7):731 [21]Meschter P J.Low-temperature oxidation of molybdenum disili- (傅晓伟，杨王玥，张来启，等.原位合成MSi-30%SiC复 cide.Metall Trans A,1992,23(6):1763 合材料高温蠕变行为.金属学报，2002,38(7)：731) [22]Bartlett R W,McCamont J W.Gage P R.Structure and chemis- [17]Zhang L Q,Pan K M,Duan L H,et al.Oxidation behavior of try of oxide films thermally grown on molybdenum silicides.JAm in-situ synthesized MoSi,-SiC composites at 500C.Acta Metall Ceram Soc,1965,48(11):551王 超等: 原位合成 SiC 颗粒增强 MoSi 2 基复合材料的 900 益长期氧化行为 num Disilicide Matrix Composites: China Patent CN01141978. 4. 2002鄄鄄04鄄鄄17 (孙祖庆, 张来启, 杨王玥, 等. 一种制备碳化硅颗粒增强二 硅化钼基复合材料的原位复合方法: 中国专利 CN01141978. 4. 2002鄄鄄04鄄鄄17) [15] Zhang L Q, Sun Z Q, Zhang Y, et al. Microstructure and me鄄 chanical properties of in situ SiC particulates reinforced MoSi2 matrix composite. Acta Metall Sin, 2001, 37(3): 325 (张来启, 孙祖庆, 张跃, 等. 原位 SiC 颗粒增强 MoSi2 基复 合材料的显微组织和力学性能. 金属学报, 2001, 37 (3): 325) [16] Fu X W, Yang W Y, Zhang L Q, et al. High temperature creep behavior of in situ synthesized MoSi2 鄄鄄 30% SiC composite. Acta Metall Sin, 2002, 38(7): 731 (傅晓伟, 杨王玥, 张来启, 等. 原位合成 MoSi2 鄄鄄30% SiC 复 合材料高温蠕变行为. 金属学报, 2002, 38(7): 731) [17] Zhang L Q, Pan K M, Duan L H, et al. Oxidation behavior of in鄄situ synthesized MoSi2 鄄鄄 SiC composites at 500 益 . Acta Metall Sin, 2013, 49(11): 1303 (张来启, 潘昆明, 段立辉, 等. 原位合成 MoSi2 鄄鄄SiC 复合材 料在 500 益的氧化行为. 金属学报, 2013, 49(11): 1303) [18] Zhang L Q, Duan L H, Lin J P. Oxidation behavior of in鄄situ synthesized MoSi2 鄄鄄SiC composites at 700 益 . Chin J Mater Res, 2015, 29(8): 561 (张来启, 段立辉, 林均品. 原位合成 MoSi2 鄄鄄 SiC 复合材料 700 益的氧化行为. 材料研究学报, 2015, 29(8): 561) [19] Wirkus C D, Wilder D R. High鄄temperature oxidation of molyb鄄 denum disilicide. J Am Ceram Soc, 1966, 49(4): 173 [20] Chou T C, Nieh T G. Comparative studies on the pest reactions of single鄄and poly鄄crystalline MoSi2 . Scripta Metall Mater, 1992, 27(1): 19 [21] Meschter P J. Low鄄temperature oxidation of molybdenum disili鄄 cide. Metall Trans A, 1992, 23(6): 1763 [22] Bartlett R W, McCamont J W, Gage P R. Structure and chemis鄄 try of oxide films thermally grown on molybdenum silicides. J Am Ceram Soc, 1965, 48(11): 551 ·1175·