(B) 继续增大VDs,夹断点A向源极移动,而ⅤA恒为Gs()。VDs多余部分加在 A到D之间的夹断区上,而VAs=V+Ⅴes几乎不变,如果忽略沟道长度调 制效应,L几乎不变,即几乎不受VDs控制,L只受Ⅴos控制,具有受控电流 源性质,形成了与JET类似的正向受控作用。 2、伏安特性曲线: A、输出伏安特性曲线:与JFET类似,有非饱和区、饱和区、截止区和亚阈 区(或弱反型层区)、击穿区。(不同的是L随VGs增加而增大) 非饱和区:反型层已经形成,沟道尚未被预夹断,Vas>Vs(th) GS(th) gDGS(th) 在此区域内,D同时受Vcs和Vυs控制。关系式见教材Pl06的(3-1-4)继续增大VDS，夹断点A向源极移动，而VGA恒为VGS（th）。 VDS多余部分加在 A 到 D 之间的夹断区上，而VAS= VAG+ VGS几乎不变，如果忽略沟道长度调 制效应，ID几乎不变，即几乎不受VDS控制，ID只受VGS控制，具有受控电流 源性质，形成了与JFET类似的正向受控作用。 2、伏安特性曲线： A、输出伏安特性曲线：与JFET类似，有非饱和区、饱和区、截止区和亚阈 区（或弱反型层区）、击穿区。（不同的是ID随|VGS |增加而增大） 非饱和区 ：反型层已经形成，沟道尚未被预夹断，VGS> VGS（th） VDS < VGS — VGS（th）（ VGD >VGS（th）） 在此区域内，ID同时受VGS和VDS控制。关系式见教材P106的（3-1-4） P P P + N N P + N N VGS VGS VDS VDS N A （A） （B）