SU-85光刻胶的应用工艺研究 旧万数据 文献链接 军,赵小林,倪智萍, Zhu Jun, Zhao xiaolin, Ni Zhiping 作者单位 上海交通大学信息存储研究中心 刊 微细加工技利sT 英文刊名: MICROFABRICATION TECHNOLOGY 年,卷(期): 2001,(2) 引用次数: 1. Lovenz H Despont M Fahrni N High-aspect-ratio, ultrathick, negative-tone near-UV Photoresist and its applications for MEMS 1998 2. Lee K Y LaBianca N. Rishten S A Micromaching application of a High resolution With thick 3. Eyre B. Blosiu J Wiberg d Taguchi Opeimization for the Processing of epon Su-8 resist 1998 1.会 工艺与传统oMs工艺不兼容,所以形成高深宽比的深隔 离槽(宽约3μL深20~100μn是体硅集成中急待解决的工艺难题.本文采用M微加工的DRLE( Deep Reactive Ion etching)技术、热氧化技术和多品 硅填充技术,形成了高深宽比的深电隔离槽(宽3.6μ深85μm).还提出了一种改变深槽形状的方法,使深槽的开口变大,以利于多品硅的填充避免了空 2.期刊论文高建忠.赵玉龙蒋庄德杨静.张奇功. Gao Jianzhong. Zhao Yulong. Jiang Zhuangde. Yang Jing Zhang Qigong基于硅隔离衬底的高深宽比微型杠杆机构研究-西安交通大学学报2005,39(9) 针对微机电系统微执行器输出位移小不能满足实际工作需要的问题设计了一种微型柔性杠杆位移放大机构,并用有限元方法对放大倍数及影响因素 进行了分析该机构不含任何旋转部件,利用单品硅微梁的弹性变形来实现微位移的放大,采用深层反应离子刻蚀技术将整个机构制作在硅隔离衬底上,并 把它置于40%的H溶液中使其成功释放.对集成加工在同一衬底上的电热微执行器进行了性能测试,测试结果表明,在没有优化的条件下加工的两级微型杠 杆机构在14V工作电压下的放大倍数为18.9倍,输出位移达到36pm,测试结果与仿真结果相吻合 3.学位论文毛计庆分层微细电铸基础研究及装置设计2008 微细制造技术被广泛地认为是21世纪最重要的技术之一。随着微机电系统(B)的发展,对微机构所提出的要求也越来越高,高深宽比微细结构 就是其中关键之一。一种分层电化学(电沉积)制造技术(EFAB)可以直接、快速、批量生产出复杂的高深宽比三维微细金属结构,与其它机械加工相 比,具有较好的经济性。但是EAB制造高深宽比三维微细金属存在着材料单一、质量不稳定、生产效率低等缺点,这严重制约了EFA及高深宽比三维金 用。本文针对这些问题,提出了改进方案,形成了一种新的分层电铸技术。并通过理论分析和试验,对该工艺进行了基础性研究。本文主要 四个方面的内容 1、首先调查了国内外高深宽比微细结构制造技术的现状与发展,着重介绍了EFAB加工技术。在此基础上,提出改进 形成了基于EFAB的新的分层电铸技术 专用于EFAB的数控机床研发,机床具有结构简单、成本低、扩展性好的特点,能够较好地满 的要求 3、利用LabⅥE软件及PC-734运动控制卡,根据运动控制系统的需求分析,划分功能模块,对运动控制及压力数据采集系 统进行设计 4、进行基础工艺试验 论文最后对提出的改进分层微细电铸技术的后续研究提出了展望 4.会议论文刘景全.朱军.丁桂甫.赵小林.蔡炳初用SU-8胶制高深宽比微结构的工艺研究200 对其工艺进行分析.采用3个因素进行实验,对试验进行了分析.根据因素分析,给出了建议的工艺条件.文中以200μ面厚的S-8为例进行试验研究得到的光 刻胶图形侧壁陡直、分辨率高、与衬底附着性强、深宽比大于20.此外,文中对几种金属衬底与S-8的附着性进行比较,得出经过氧化处理的Ti片附着性强 这有利于为MM提供低成本的高深宽比微结构 5.学位论文李雄WN-LIGA技术光刻工艺的研究2004 M(微机电系统)是21世纪科技与产业的热点之一而微细加工技术又是M发展的重要基础LIGA射线深层光刻、电铸成型和微复制)和W LIGA技术是Ms微细加工中两种十分重要的技术在微机械领域常需要用到具有一定厚度和高深宽比的微结构,LIGA与U-1IGA技术是制作这种微结构的重 要手段U-LIGA技术的工艺过程与LIGA技术基本相同,只是不需要用同步辐射X线源,而用常规的紫外光作为光光源因此-LIG技术要比LGA技术在工 艺成本上便宜很多,较之更容易推广SU-8系列光刻胶是V-LIGA工艺常用的光刻胶,它是一种负性、环氧树脂型、近紫外线光刻胶,适于制作超厚、高深宽 比的M微结构.SU-8胶在近紫外光范围内光吸收度低,故整个光刻胶层所获得的曝光量均匀一致,可得到具有垂直侧壁和高深宽比的厚膜图形.由于它具 有较多优点,因此逐渐应 多个研究领域.本文研究了基于SU-8胶的u-LIGA的光刻工艺流程,讨论了各个步骤的工艺参数对光刻结果的影响.分析 了SU-8胶在近紫外280-35 400m波段下的透射曲线,计算得到不同波段紫外光在SU-8胶中的穿透深度,并通过SM图片分析了不同穿透深度对S 8胶图形的影响,进而得出 均匀曝光的紫外波段然后通过对同一厚度光刻胶采取不同曝光剂量的方法结合SEM照片的比较,得到适合该厚度的 曝光剂量.利用这种对比的 可得到不同厚度SU-8胶所对应的曝光剂量最后,利用设计的掩模板以及前面研究的工艺结果我们成功制作出了几种 不同胶厚的SU-8微结构图 片显示图形质量较好侧壁陡直图形线宽与掩模板的设计基本一致,图形最大高度可达400μ最大深宽比可达15 -微细加工技术2002(1) 艺参数很敏慼 其工艺进行分析.采用三个因素进行试验,对试验进行了分析.以200m厚的SU-8为例进行试验研究,得到的光刻胶图形侧壁陡直,分辨率高,与基底附着性 强深宽比大于20 2学论家和同电氨间技甲木自图正命厘起面复使构的加20可 处理器、微型执行器、直至接口、迺讯和电源等于一体,具有多种功能的系统。微机电系统不但通过微 成化达到节省空间、时间、材料和能源SU-8 5光刻胶的应用工艺研究 作者： 朱军， 赵小林， 倪智萍， Zhu Jun， Zhao Xiaolin， Ni Zhiping 作者单位： 上海交通大学信息存储研究中心, 刊名： 微细加工技术 英文刊名： MICROFABRICATION TECHNOLOGY 年，卷(期)： 2001，(2) 引用次数： 3次 参考文献(3条) 1.Lovenz H.Despont M.Fahrni N High-aspect-ratio,ultrathick,negative-tone near-UV Photoresist and its applications for MEMS 1998 2.Lee K Y.LaBianca N.Rishten S A Micromaching application of a High resolution With thick Photoresist 1995(6) 3.Eyre B.Blosiu J.Wiberg D Taguehi Opeimization for the Processing of epon Su-8 resist 1998 相似文献(10条) 1.会议论文 朱泳.闫桂珍.王成伟.王阳元 高深宽比深隔离槽的刻蚀技术研究 2003 体硅集成MEMS器件中的一个非常重要的技术就是微结构与电路部分的电隔离和互连.由于体硅工艺与传统CMOS工艺不兼容,所以形成高深宽比的深隔 离槽(宽约3 μm,深20～100 μm)是体硅集成中急待解决的工艺难题.本文采用MEMS微加工的DRIE(Deep Reactive Ion Etching)技术、热氧化技术和多晶 硅填充技术,形成了高深宽比的深电隔离槽(宽3.6 μm,深85 μm).还提出了一种改变深槽形状的方法,使深槽的开口变大,以利于多晶硅的填充,避免了空 洞的产生. 2.期刊论文 高建忠.赵玉龙.蒋庄德.杨静.张奇功.Gao Jianzhong.Zhao Yulong.Jiang Zhuangde.Yang Jing. Zhang Qigong 基于硅隔离衬底的高深宽比微型杠杆机构研究 -西安交通大学学报2005,39(9) 针对微机电系统微执行器输出位移小,不能满足实际工作需要的问题,设计了一种微型柔性杠杆位移放大机构,并用有限元方法对放大倍数及影响因素 进行了分析.该机构不含任何旋转部件,利用单晶硅微梁的弹性变形来实现微位移的放大,采用深层反应离子刻蚀技术将整个机构制作在硅隔离衬底上,并 把它置于40%的HF溶液中使其成功释放.对集成加工在同一衬底上的电热微执行器进行了性能测试,测试结果表明,在没有优化的条件下,加工的两级微型杠 杆机构在14 V工作电压下的放大倍数为18.9倍,输出位移达到36 μm,测试结果与仿真结果相吻合. 3.学位论文 毛计庆 分层微细电铸基础研究及装置设计 2008 微细制造技术被广泛地认为是21世纪最重要的技术之一。随着微机电系统（MEMS）的发展，对微机构所提出的要求也越来越高，高深宽比微细结构 就是其中关键之一。一种分层电化学（电沉积）制造技术（EFAB）可以直接、快速、批量生产出复杂的高深宽比三维微细金属结构，与其它机械加工相 比，具有较好的经济性。但是EFAB制造高深宽比三维微细金属存在着材料单一、质量不稳定、生产效率低等缺点，这严重制约了EFAB及高深宽比三维金 属结构的应用。本文针对这些问题，提出了改进方案，形成了一种新的分层电铸技术。并通过理论分析和试验，对该工艺进行了基础性研究。本文主要 研究了以下四个方面的内容： 1、首先调查了国内外高深宽比微细结构制造技术的现状与发展，着重介绍了EFAB加工技术。在此基础上，提出改进 技术措施，形成了基于EFAB的新的分层电铸技术。 2、专用于EFAB的数控机床研发，机床具有结构简单、成本低、扩展性好的特点，能够较好地满 足工艺试验的要求。 3、利用Lab VIEW软件及PCI-7344运动控制卡，根据运动控制系统的需求分析，划分功能模块，对运动控制及压力数据采集系 统进行设计。 4、进行基础工艺试验。 论文最后对提出的改进分层微细电铸技术的后续研究提出了展望。 4.会议论文 刘景全.朱军.丁桂甫.赵小林.蔡炳初 用SU-8胶制高深宽比微结构的工艺研究 2001 SU-8胶是一种负性、环氧树脂型、近紫外线光刻胶.它适于制超厚、高深宽比的MEMS微结构.但SU-8胶对工艺参数得敏感.本文采用正交试验设计方法 对其工艺进行分析.采用3个因素进行实验,对试验进行了分析.根据因素分析,给出了建议的工艺条件.文中以200μm厚的SU-8为例进行试验研究,得到的光 刻胶图形侧壁陡直、分辨率高、与衬底附着性强、深宽比大于20.此外,文中对几种金属衬底与SU-8的附着性进行比较,得出经过氧化处理的Ti片附着性强 .这有利于为MEMS提供低成本的高深宽比微结构. 5.学位论文 李雄 UV-LIGA技术光刻工艺的研究 2004 MEMS(微机电系统)是21世纪科技与产业的热点之一,而微细加工技术又是MEMS发展的重要基础.LIGA(X射线深层光刻、电铸成型和微复制)和UV￾LIGA技术是MEMS微细加工中两种十分重要的技术.在微机械领域常需要用到具有一定厚度和高深宽比的微结构,LIGA与UV-LIGA技术是制作这种微结构的重 要手段.UV-LIGA技术的工艺过程与LIGA技术基本相同,只是不需要用同步辐射X线源,而用常规的紫外光作为曝光光源,因此UV-LIGA技术要比LIGA技术在工 艺成本上便宜很多,较之更容易推广.SU-8系列光刻胶是UV-LIGA工艺常用的光刻胶,它是一种负性、环氧树脂型、近紫外线光刻胶,适于制作超厚、高深宽 比的MEMS微结构.SU-8胶在近紫外光范围内光吸收度低,故整个光刻胶层所获得的曝光量均匀一致,可得到具有垂直侧壁和高深宽比的厚膜图形.由于它具 有较多优点,因此逐渐应用于MEMS的多个研究领域.本文研究了基于SU-8胶的UV-LIGA的光刻工艺流程,讨论了各个步骤的工艺参数对光刻结果的影响.分析 了SU-8胶在近紫外280-350nm和350-400nm波段下的透射曲线,计算得到不同波段紫外光在SU-8胶中的穿透深度,并通过SEM图片分析了不同穿透深度对SU- 8胶图形的影响,进而得出适合SU-8胶均匀曝光的紫外波段.然后通过对同一厚度光刻胶采取不同曝光剂量的方法,结合SEM照片的比较,得到适合该厚度的 曝光剂量.利用这种对比的实验方法,可得到不同厚度SU-8胶所对应的曝光剂量.最后,利用设计的掩模板以及前面研究的工艺结果,我们成功制作出了几种 不同胶厚的SU-8微结构图形,SEM照片显示图形质量较好,侧壁陡直,图形线宽与掩模板的设计基本一致,图形最大高度可达400μm,最大深宽比可达15. 6.期刊论文 刘景全.朱军.丁桂甫.赵小林.蔡炳初 用SU-8胶制高深宽比微结构的试验研究 -微细加工技术2002(1) SU-8胶是一种负性、环氧树脂型、近紫外线光刻胶,它适于超厚、高深宽比的MEMS微结构制造.但SU-8胶对工艺参数很敏感.采用正交试验设计方法对 其工艺进行分析.采用三个因素进行试验,对试验进行了分析.以200μm厚的SU-8为例进行试验研究,得到的光刻胶图形侧壁陡直,分辨率高,与基底附着性 强,深宽比大于20. 7.学位论文 蒋利民 约束刻蚀剂层技术（CELT）用于金属材料表面复杂三维微结构的加工研究 2007 微机电系统(MEMS)和微光机电系统(MOEMS)是当今科学技术的热点研究领域之一。微机电系统，泛指体积微小、集微型机械、微型传感器、微型信号 处理器、微型执行器、直至接口、通讯和电源等于一体，具有多种功能的系统。微机电系统不但通过微型化和集成化达到节省空间、时间、材料和能源