E1=C() R 则第二个半波天线的辐射场为 二二二二 E2=C() R2 由于R2≈R+ / cos e,故有 E2≈C(O)=ne"=E1 R 同理,可得第三个半波天线的场为 E,≈E, 依次类推,得m个半波天线产生的总场为 ∑Ees (1233) 可见它的辐射角分布比单个半波天线的角分布多了一个因子: in2kIcos8 1,c= =f(a) 式中a= kl cos e,f(a) 。因此总的辐射角分布为 2 fota (6, o)=singl (0,o).f(a) (12.34) 即在原有的单个天线的角分布的图案基础上加上一个干涉后的“形状因子”。1 1 1 ( ) ikR e E C R = θ   则第二个半波天线的辐射场为 2 2 2 ( ) ikR e E C R = θ   由于 2 1 R Rl ≈ + cosθ ，故有 1 cos cos 2 1 1 ( ) ikR e ikl ikl E C e Ee R θ θ ≈ = θ    同理，可得第三个半波天线的场为 2 cos 3 1 i kl E Ee θ ≈   依次类推，得m 个半波天线产生的总场为 1 cos cos 1 1 cos 0 1 1 m imkl iNkl total ikl N e E Ee E e θ θ θ − = − = = − ∑   (12.33) 可见它的辐射角分布比单个半波天线的角分布多了一个因子： 2 2 cos cos 2 sin cos 1 2 ( ) 1 1 sin cos 2 imkl ikl m kl e f e kl θ θ θ α θ     −   = = −       式中α θ = kl cos ， 2 2 sin 2 ( ) sin 2 m f α α α       =       。因此总的辐射角分布为 total single f ff (,) (,) () θφ θφ α = ⋅ (12.34) 即在原有的单个天线的角分布的图案基础上加上一个干涉后的“形状因子