北京大学信息科学技术学院 《集成电路设计实习》实验报告 第5页 中,几个极和零点的位置如下 Rs Ay2 C (5)两级运放的补偿:两级运放中右半平面的零点是一个严重的问题,因为它 在表达式gn/Cc+CcD)中,而要使得主极点处在合适的位置,Cc又要足够的大 增加与补偿电容串联的电阻能够有效改善零点的频率。 Cc(8m-Rz) R 消除零点的方法:取 RL gmr X 使得电路中的正零点变为负零点, 并且移动到高频的位置上 2、实验步骤 (1)察看电路的模型文件(Scs)文件,或通过对MOS管简单电路的DC分析 并查看MOS管的直流工作点参数,得到NMOS和PMOS的基本工艺参数。通 过查看模型文件可得 栅氧化层厚度:tox=127m, 单位面积电容:Co=5=2719/F/um2, 迁移率:pn=4146cm2/Vs,n=2589cm2/s, 可得出:nCmn=11273A/2,uCn=7039472 阈值电压:VmN=0.745V,Vmp=-0.973V I BSIM3v3.3 MOSFET Model User Manual -Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, CA94720北京大学信息科学技术学院 《集成电路设计实习》实验报告 第 5 页 中，几个极和零点的位置如下： 1 2 1 p RSV c A C ω ≈ ， 2 1 m p E L C g C C C ω ≈ ⎛ ⎞ ⎜ ⎟ + ⎝ ⎠ ， m Z c g C ω ≈ 。 （5）两级运放的补偿：两级运放中右半平面的零点是一个严重的问题，因为它 在表达式 /( ) m C GD gCC+ 中，而要使得主极点处在合适的位置，CC 又要足够的大。 增加与补偿电容串联的电阻能够有效改善零点的频率。 1 1 ( ) Z Cg R Cm Z ω − ≈ − 消除零点的方法：取 9 9 9 1 1 1/ L L Z m mCmC C C R g gCgC = ××≈ 使得电路中的正零点变为负零点， 并且移动到高频的位置上。 2、实验步骤 （1）察看电路的模型文件（.scs）文件，或通过对 MOS 管简单电路的 DC 分析 并查看 MOS 管的直流工作点参数，得到 NMOS 和 PMOS 的基本工艺参数。通 过查看模型文件可得1 ： 栅氧化层厚度： 12.7 OX t nm = ， 单位面积电容： 0 2 2.719 / OX OX OX C fF m t ε ε = = μ ， 迁移率： 2 2 414.6 258.9 / n p μ = = cm /Vs，μ cm Vs ， 可得出： 2 2 112.73 70.39 n ox p ox μ C A/V = = μ μ ，μ C A/V ， 阈值电压： 0.745 V V THN = ， 0.973 V V THP = − 1 BSIM3v3.3 MOSFET Model User Manual —— Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, CA 94720