在满带中，空穴也在移动，其方向与电子移动相反，半导体的导电是导带中的电子导电与满 带中的空穴导电同时起作用。当温度升高时，满带中有更多的电子被激发进入导带，导带中 的电子数目与满带中形成的空穴的数目相应增加，增强了导电性，其结果足以抵消由于温度 升高原子振动加剧所引起的对导电性的削弱而有余。因此，温度升高，半导体导电性增强， 这与导体的导电性受温度影响情况不同。 10、实际晶体内部结构上的点缺陷有几种类型？晶体内部结构上的缺陷对品体的物理、化学 件质有无影响？ 解：有空穴缺陷、置换缺陷、间充缺陷三种。晶体内部结构上的缺陷影响品体的光、电、磁、 声、力、热学等方面的物理性质和化学活性。 1、键的极性也可用键矩表示，与分子偶极矩相似，键矩也表达为正、负电中心间距离的乘 积，矢量的方向，由正指向负。试用键矩证明：CC健虽为极性键，但CCL4分子的偶极短 为零。 解：CC,分子的空间构型如下图所示。四个实线箭头分别表示四个C-C健的健矩矢量，它 们的长度相同。以(C-C)表示健矩，则向下的三个矢量之和（如虚线箭头所示）为： 3C-CI)cos(x-0F3mC-CI)co180°-10928)=3u(C-C)x0.3333=uC-C) 与向上的矢量大小相等，方向相反。所以四个以C-C)的矢量和为零，即正、负电荷中 心是重合的，CC,分子的偶极短为零 CC的构型在满带中，空穴也在移动，其方向与电子移动相反，半导体的导电是导带中的电子导电与满 带中的空穴导电同时起作用。当温度升高时，满带中有更多的电子被激发进入导带，导带中 的电子数目与满带中形成的空穴的数目相应增加，增强了导电性，其结果足以抵消由于温度 升高原子振动加剧所引起的对导电性的削弱而有余。因此，温度升高，半导体导电性增强， 这与导体的导电性受温度影响情况不同。 10、实际晶体内部结构上的点缺陷有几种类型?晶体内部结构上的缺陷对晶体的物理、化学 件质有无影响？ 解：有空穴缺陷、置换缺陷、间充缺陷三种。晶体内部结构上的缺陷影响晶体的光、电、磁、 声、力、热学等方面的物理性质和化学活性。 11、键的极性也可用键矩表示，与分子偶极矩相似，键矩也表达为正、负电中心间距离的乘 积，矢量的方向，由正指向负。试用键矩证明：C-Cl 键虽为极性键，但 CCl4 分子的偶极短 为零。 解：CCl4 分子的空间构型如下图所示。四个实线箭头分别表示四个 C-Cl 键的键矩矢量，它 们的长度相同。以 μ(C-Cl)表示键矩，则向下的三个矢量之和（如虚线箭头所示）为： 3μ(C-Cl)cos(π-θ)=3μ(C-Cl)cos(180°-109°28')=3μ(C-Cl)×0.3333=μ(C-Cl) 与向上的矢量大小相等，方向相反。所以四个 μ(C-Cl)的矢量和为零，即正、负电荷中 心是重合的，CCl4 分子的偶极短为零。 Cl π-θ Cl Cl Cl c CCl4的构型