物质SiF4 SiCla SiBr4 熔点C -90.2 -70 5.4 120.5 为什么钠的卤化物的熔点比相应硅的卤化物的熔点高，而且熔点递变趋势相反？ 解：因为钠的卤化物为离子晶体，硅的卤化物为分子晶体，所以钠的卤化物的熔点比相应硅 的卤化物的熔点高。离子晶体的熔点主要取决于晶格能，NaF、NaCl、NaBr、Nal随着阴离 子半径逐渐增大，晶格能逐渐减小，所以熔点逐渐降低。分子晶体的熔点主要取决于分子间 力，随着SF4、SiC4、SB4、Sl:相对分子质量逐渐增大、分了间力逐渐增大，所以熔点遂 渐增高。 6、指出下列各物质为固态时分子间作用力的类型。 ()P4:(2)H0:(3)NO:(4)C26:(⑤)HS 解：（山P,(4CH6为非极性分子，它们的固态中分子间的作用力只有色散作用。(2）出0 是极性分子，其中0的电负性大，半径小，所以，在冰中H0分子之间除了有色散作用、 诱导作用和取向作用外，还能形成氢键。(3)N0和（⑤HS为极性分子，它们的固态中分子 间的作用力有色散作用、诱导作用和取向作用。 7、在晶体密堆积结构中，每个粒子的配位数是多少？六方密堆积与面心立方密堆积的主要 区别在哪里？ 解：在晶体密堆积结构包括有六方密堆积与面心立方密堆积两种密堆积形式，在这两种密堆 积的结构中，每个粒子的配位数均为12。六方密堆积中，密堆积层呈ABAB方式排列，面 心立方密堆积中，密堆积层呈ABCABC方式排列。 8、离下半径r(Cu)<(Ag,所以Cu的极化力大于Ag,为何Cus的溶解度却大于AgS? 解：Cu和Ag均为18电子构型，尽管Cu的极化力比Ag大些，但由于Ag的变形性比Cu 大，使Ag2S的附加极化作用增强，健的共价程度增大、溶解度减小 9、试采用能带理论对金属导体、半导体和绝缘体的导电性能进行解释说明。 解：金属是导体，它的导带只是部分被电子占有.电子获得能量后可在导带中作定向运动， 形成电流，所以金属能够导电。绝缘体不能导电，是由于满带全满，导带全空，禁带又太宽， 电子不能从满带越过禁带而进入导带，因此绝缘体不能导电。半导体的特点是禁带不宽，满 带中的少数电子获得能量后，可越过禁带进入导带起导电作用：同时满带中留下少数空穴， 物质 SiF4 SiCl4 SiBr4 SiI4 熔点/℃ -90.2 -70 5.4 120.5 为什么钠的卤化物的熔点比相应硅的卤化物的熔点高，而且熔点递变趋势相反？ 解：因为钠的卤化物为离子晶体，硅的卤化物为分子晶体，所以钠的卤化物的熔点比相应硅 的卤化物的熔点高。离子晶体的熔点主要取决于晶格能，NaF、NaCl、NaBr、NaI 随着阴离 子半径逐渐增大，晶格能逐渐减小，所以熔点逐渐降低。分子晶体的熔点主要取决于分子间 力，随着 SiF4、SiCl4、SiBr4、SiI4 相对分子质量逐渐增大、分了间力逐渐增大，所以熔点逐 渐增高。 6、指出下列各物质为固态时分子间作用力的类型。 (1) P4； (2) H2O； (3) NO； (4) C2H6； (5) H2S 解：(1) P4，(4) C2H6 为非极性分子，它们的固态中分子间的作用力只有色散作用。(2) H2O 是极性分子，其中 O 的电负性大，半径小，所以，在冰中 H2O 分子之间除了有色散作用、 诱导作用和取向作用外，还能形成氢键。(3) NO 和(5) H2S 为极性分子，它们的固态中分子 间的作用力有色散作用、诱导作用和取向作用。 7、在晶体密堆积结构中，每个粒子的配位数是多少？六方密堆积与面心立方密堆积的主要 区别在哪里？ 解：在晶体密堆积结构包括有六方密堆积与面心立方密堆积两种密堆积形式，在这两种密堆 积的结构中，每个粒子的配位数均为 12。六方密堆积中，密堆积层呈 ABAB 方式排列，面 心立方密堆积中，密堆积层呈 ABCABC 方式排列。 8、离下半径 r(Cu+ )＜r(Ag+ )，所以 Cu+的极化力大于 Ag+，为何 Cu2S 的溶解度却大于 Ag2S？ 解：Cu+和 Ag+均为 18 电子构型，尽管 Cu+的极化力比 Ag+大些，但由于 Ag+的变形性比 Cu+ 大，使 Ag2S 的附加极化作用增强，键的共价程度增大、溶解度减小。 9、试采用能带理论对金属导体、半导体和绝缘体的导电性能进行解释说明。 解：金属是导体，它的导带只是部分被电子占有．电子获得能量后可在导带中作定向运动， 形成电流，所以金属能够导电。绝缘体不能导电，是由于满带全满，导带全空，禁带又太宽， 电子不能从满带越过禁带而进入导带，因此绝缘体不能导电。半导体的特点是禁带不宽，满 带中的少数电子获得能量后，可越过禁带进入导带起导电作用；同时满带中留下少数空穴