V 无光照 开路光电压 有光照 P P2>P 短路光电流 图4P.N结的伏安特性 有光照时，相对于无光照曲线向下平移，光照越强，曲线愈往下平移，光电 流越大。图中第一象限为P一N结加正偏压状态，此时P一N结暗电流1远大于光生 电流，做为探测器工作在这个区域是没有意义的。第三象限为P一N结加反偏压状 态，此时P一N结暗电流I,=I,数值很小，远小于光生电流1s,光伏探测器输出的 总电流1=10+13≈15，光伏探测器多工作在这个区域。 由图可见，在低反压下电流随电压变化比较明显，这是因为反向偏压增加使 耗尽层加宽，结电场增强，使结区光的吸收率和光生载流子的收集效率增大。当 反向偏压进一步增加，光生载流子的收集已达极限，光电流趋于饱和。这时，光 电流与外加反向偏压几乎无关，而仅取决于入射光功率。 图中还标注了开路光电压和短路光电流的定义。由式(3)式可以求得光伏探 测器的输出电压 v=k灯ins-l-l) Iso (4) 在P一N结开路时（即外负载电阻R,→0），光伏探测器的输出电压称为开 路电压V,这时经外回路负载R,上的总电流1=0，在式(4)中，将I=0代入， 可得开路电压的表达式 (5) 若将P一N短路（即V=0),由式(2）可得短路电流1x为 =器P (6) '和Ix是光伏探测器的两个重要参数，其数值可以从伏安特性曲线上得图 4 P-N 结的伏安特性 有光照时，相对于无光照曲线向下平移，光照越强，曲线愈往下平移，光电 流越大。图中第一象限为P—N结加正偏压状态，此时P—N结暗电流ID远大于光生 电流，做为探测器工作在这个区域是没有意义的。第三象限为P—N结加反偏压状 态，此时P—N结暗电流ID=ISO，数值很小，远小于光生电流IS，光伏探测器输出的 总电流 I = I SO + I S ≈ I S ，光伏探测器多工作在这个区域。 由图可见，在低反压下电流随电压变化比较明显，这是因为反向偏压增加使 耗尽层加宽，结电场增强，使结区光的吸收率和光生载流子的收集效率增大。当 反向偏压进一步增加，光生载流子的收集已达极限，光电流趋于饱和。这时，光 电流与外加反向偏压几乎无关，而仅取决于入射光功率。 图中还标注了开路光电压和短路光电流的定义。由式（3）式可以求得光伏探 测器的输出电压 ln( −1) − = SO S I I I q kT V （4） 在 P—N 结开路时（即外负载电阻 RL → ∞），光伏探测器的输出电压称为开 路电压VOC ，这时经外回路负载 RL上的总电流 I = 0，在式（4）中，将 代入， 可得开路电压的表达式 I = 0 = ln( −1) OS S OC I I q kT V （5） 若将 P—N 短路（即 V=O），由式（2）可得短路电流 I SC 为 P h q I I SC S ν η = = （6） VOC 和 I SC 是光伏探测器的两个重要参数，其数值可以从伏安特性曲线上得 6