到：由式(5)、(6)可看出，两者都随光强增大而增大，但/随光强增大线性 上升，而Vc则按对数规律增加，如下图所示。 光照度 图5'oc和Ixc随光强变化曲线 (2)光谱特性 光伏探测器对不同波长的光的灵敏度是不同的，这是因为光子的能量时=9 必须大于或等于带隙E。,光子才能被吸收产生电子空穴对，不同半导体材料具 有不同的E。,因此对光的波长具有选择性，除与材料有关外，还与具体结构有 关。下图给出了硅、锗材料光电二极管的光谱响应特性，硅光电二极管最佳响应 波长在0·8~1·0m:锗材料能响应到1·7m。图b显示了由硅、硒材料制 成的光电池的光谱响应特性曲线。 100 0.4 0.81.21.6 2/n 图B硅、藷材料光电二极管光诺响应曲线 (3)光照特性 光电二极管在一定负偏压下，当入射光的强度发生变化时，通过光电二极管 的电流随之变化，在较小负载电阻下，光电流和照度成线性关系。如下图所示 到；由式（5）、（6）可看出，两者都随光强增大而增大，但 随光强增大线性 上升，而 则按对数规律增加，如下图所示。 SC I VOC 图 5 VOC 和 I SC 随光强变化曲线 （2） 光谱特性 光伏探测器对不同波长的光的灵敏度是不同的，这是因为光子的能量 λ c hf = 必须大于或等于带隙 ，光子才能被吸收产生电子-空穴对，不同半导体材料具 有不同的 ，因此对光的波长具有选择性，除与材料有关外，还与具体结构有 关。下图给出了硅、锗材料光电二极管的光谱响应特性，硅光电二极管最佳响应 波长在 0·8～1·0 Eg Eg µm ；锗材料能响应到 1·7 µm 。图 b 显示了由硅、硒材料制 成的光电池的光谱响应特性曲线。 （3）光照特性 光电二极管在一定负偏压下，当入射光的强度发生变化时，通过光电二极管 的电流随之变化，在较小负载电阻下，光电流和照度成线性关系。如下图所示 7