AUD,I BIF,Is Cl,UR 13.理想二极管的主要性能指标为 AUb-0,R=0,BUb=0.3V,k=-0CUb=0.5V,k=5 13.稳压管通常工作于，来稳定直流输出电压 月截止区B正向导通区C反向击穿区 12.对于稳定电压为10Ⅳ的稳压管，当环境温度升高时，其稳定电压将 A升高B降低C不变 13.二极管的反偏电压升高，其结电容 A增大B减小C不变 17.二极管正向偏置时，其结电容主要是 A势垒电容B扩散电容C无法判断 18.锗二极管的死区电压约为 A0.1VB0.2VC0.3N 19.硅二极管的完全导通后的管压降约为 A0.3VB0.5VC0.7V 20.由二极管的伏安特性可知，二极管的管压降越高，二极管的电阻越 A大B小C不变 21.二极管的伏安特性可以表示为 ab=1se本-0 B6=1e花UD,IF IF,IS IF,UR 13.理想二极管的主要性能指标为 _ UD=0,IR=0, UD =0.3V ，IR=0 UD =0.5V ，IR =IS 13.稳压管通常工作于_，来稳定直流输出电压 截止区 正向导通区 反向击穿区 12.对于稳定电压为 10V 的稳压管，当环境温度升高时，其稳定电压将 _ 升高 降低 不变 13.二极管的反偏电压升高，其结电容 _ 增大 减小 不变 17.二极管正向偏置时，其结电容主要是 _ 势垒电容 扩散电容 无法判断 18.锗二极管的死区电压约为 _ 0.1V 0.2V 0.3V 19.硅二极管的完全导通后的管压降约为 _ 0.3V 0.5V 0.7V 20.由二极管的伏安特性可知，二极管的管压降越高，二极管的电阻越 _ 大 小 不变 21.二极管的伏安特性可以表示为 _