GTR驱动电路的特点是:驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿,并有一定的过 冲,这样可加速开通过程,减小开通损耗,关断时,驱动电路能提供幅值足够大的反向基 极驱动电流,并加反偏截止电压,以加速关断速度。 GTO驱动电路的特点是:GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅 值和陡度,且一般需要在整个导通期间施加正门极电流,关断需施加负门极电流,幅值和 陡度要求更高,其驱动电路通常包括开通驱动电路,关断驱动电路和门极反偏电路三部分。 电力 MOSFET驱动电路的特点:要求驱动电路具有较小的输入电阻,驱动功率小 电路简单。 8.全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么?试分析RCD缓冲电路中各元件的作 用 答:全控型器件缓冲电路的主要作用是抑制器件的内因过电压,dd或过电流和did, 减小器件的开关损耗 RCD缓冲电路中,各元件的作用是:开通时,C经R放电,R起到限制放电电流的 作用;关断时,负载电流经VD从Cs分流,使 dude减小,抑制过电压。 9.试说明IGBT、GTR、GTO和电力 MOSFET各自的优缺点。 解:对IGBT、GTR、GTO和电力 MOSFET的优缺点的比较如下表 优点 开关速度高,开关损耗小,具有耐脉 冲电流冲击的能力,通态压降较低,开关速度低于电力 MOSFET,电 IGBT 输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率|压,电流容量不及GTO 耐压高,电流大,开关特性好,通流 开关速度低,为电流驱动,所需 GTR 驱动功率大,驱动电路复杂,存 能力强,饱和压降低 在二次击穿问题 电流关断增益很小,关断时门极 电压、电流容量大,适用于大功率场 合,具有电导调制效应,其通流能力 负脉冲电流大,开关速度低,驱 动功率大,驱动电路复杂,开关 频率们 开关速度快,输入阻抗高,热稳定什电流容量小,耐压低,一般只适 好,所需驱动功率小且驱动电路简 MOSFET单,工作频率高,不存在二次击穿问 用于功率不超过10W的电力电 子装置 PdfcreatedwithpdffactorYProtrialversionwww.pdffactory.com3 GTR 驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过 冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗，关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基 极驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。 GTO 驱动电路的特点是：GTO 要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅 值和陡度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和 陡度要求更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路，关断驱动电路和门极反偏电路三部分。 电力 MOSFET 驱动电路的特点：要求驱动电路具有较小的输入电阻，驱动功率小且 电路简单。 8. 全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么？试分析 RCD 缓冲电路中各元件的作 用。 答：全控型器件缓冲电路的主要作用是抑制器件的内因过电压，du/dt 或过电流和 di/dt， 减小器件的开关损耗。 RCD 缓冲电路中，各元件的作用是：开通时，Cs经 Rs放电，Rs起到限制放电电流的 作用；关断时，负载电流经 VDs从 Cs分流，使 du/dt 减小，抑制过电压。 9. 试说明 IGBT、GTR、GTO 和电力 MOSFET 各自的优缺点。 解：对 IGBT、GTR、GTO 和电力 MOSFET 的优缺点的比较如下表： 器 件 优 点 缺 点 IGBT 开关速度高，开关损耗小，具有耐脉 冲电流冲击的能力，通态压降较低， 输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率 小 开关速度低于电力 MOSFET,电 压，电流容量不及 GTO GTR 耐压高，电流大，开关特性好，通流 能力强，饱和压降低 开关速度低，为电流驱动，所需 驱动功率大，驱动电路复杂，存 在二次击穿问题 GTO 电压、电流容量大，适用于大功率场 合，具有电导调制效应，其通流能力 很强 电流关断增益很小，关断时门极 负脉冲电流大，开关速度低，驱 动功率大，驱动电路复杂，开关 频率低 电 力 MOSFET 开关速度快，输入阻抗高，热稳定性 好，所需驱动功率小且驱动电路简 单，工作频率高，不存在二次击穿问 题 电流容量小，耐压低，一般只适 用于功率不超过 10kW 的电力电 子装置 PDF created with pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com