344 物 报 号源以及采取适当的措施保证施加于两极管的正弦波不失真(改变衰减器) 附带指出,当实验中无法提高Ep,例如E~3V,则必须利用(4)式以计算r,但测准 的条件仍可利用选择f使i,/in,在0.15-0.3之间 3反向恢复法测试原理及装置 Kingston,Mo等人田详细分析了处于正向偏置 的两极管突然转到反向偏置后两极管的电压和电流瞬态特性,对于缓变pn结两极管,得 (6) I& IK 式中,τ是pt-n结中n材料中的少数载流子(空穴)寿命,是正向偏置电流,Ik是脉冲讯 号源在二极管上施加反向偏压后流过二极管的反向电流.在我们的测试条件下,I可取 5,35和2mA三个数值,Ik则仅能取40mA一个数值.在取样示波器上可清楚地读出存 储时间t,为了测准t2,要求脉冲讯号源的前沿《t1,在我们条件下前沿为25×10-0ec 因此可满足10-s的测试。具体的测试装置已为大家熟知,不再复述 根据(6)式,从已知的IP,IR和测得的t,可算得少数载流子寿命rp 、实验结果 1.硅阶跃两极管图3,4表示用阶跃恢复法测量硅阶跃管S-D-1和S-D-2寿命 r的结果.由于硅管ψ<1V,而实验中E,~8V,因此(5)式关系成立(图3).几次测 定S-D-2发现,当0.35<ip/in,<0.1,数据偏离直线关系.根据直线范围内直线的斜 Si-D- 025 Si-D-2 0063i/→增加 0.20 0076 324b04 图3阶跃恢复法测硅阶跃管所得的i,/, 图4阶跃恢复法测得的硅阶跃管少数载流子 与f的关系(参见文中(5)式) (空穴)寿命(E~8V)