3期王渭源:用阶跃恢复法测定砷化镓结型(p-n和M-S结)两极管的载流子寿命345 率可算得τ(注意直线并不通过零点).另一方面,我们也可利用(5)式将逐点f与ipr/i,t 代入而计算τ(意即每一实验点都通过零点),Si-D-2的结果见图4.从图4可清楚看 出,为了算得较准确的r,in/ip应选在015-0.3之间.两种计算方法算得的r基木 致(表1) 表1硅阶跃管少数载流子寿命 测得的少数载流子寿命p(10-e) 测试方法 Si-D- 1U.8,14.5,12.6 1U.6 阶跃恢复法 Si-D-2 6.5 Si-D-l 反向恢复法 Si-D-2 56,5.8,68 4.8 1)一系列数据的平均值(图4) 图5是用反向恢复法测量SD1及 S-D-2少数载流子寿命τp的结果.根 据(6)式,可从图5直线斜率(并不通过 零点)或逐点代入(表示每一实验点通过 零点)计算τ.结果也在表1中列出,可 见所得数据相当接近 比较表1两种测试方法,数据相当 符合.鉴于大家公认用反向恢复法可测 S-D-1 少数载流子寿命,因此可以认为用阶跃 0 恢复法测得的,对pn结来说即是少 03 数载流子寿命。在目前情况是n型硅中 空穴寿命 05 2.砷化镓pt-n结两极管初步 的实验表明,这类管子的存储时间已接 近脉冲讯号源的前沿时间(25×10-0 sec),故无法利用反向恢复法测量少数载 U20.04000080.100.20. 19 流子寿命.图6用上节实验已验证的阶 IF/I(40mA) 跃恢复法对砷化镓pt-n两极管进行测 图5反向恢复法测硅阶跃管所得的与 定,图中列出部分结果(其他管子关系类 同,从略)。据此,我们可从逐点代人或直线斜率分别算得少数载流子寿命(砷化镓管 ψ<1V,实验时Ep~8V,仍用(5)式关系),见表2,这里p+102cm-3,n3-8×10cm 是p+-n结,因此表2中少数载流子寿命是 n-GaAs的空穴寿命rp 表2中两种计算方法所得的v有些差别,后者约高出前者10-20%,系由于后一方 法直线不通过零点所致,目前尚不能肯定那种方法较好暂取它们的平均值列于表