MS时代nMOS晶体管的各层膜 氮化硅 顶层 氧化制 垫氧化层 金属 多家多 ⅡD燃 氧化碰 C。了场氧化)已以/ 金属前氧化层 侧墙氧化层 n-well 栅氧化层 p"epi layer llicon substrate 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda Figure ll 电信学院微电子教研室电信学院微电子教研室 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda MSI时代nMOS晶体管的各层膜 p + silicon substrate p - epi layer 场氧化层 n + n + p + p + n-well ILD 氧化硅 垫氧化层 氧化硅 氮化硅 顶层 栅氧化层 侧墙氧化层 金属前氧化层 Poly 金属 多晶 金属 Figure 11.1