引言 从MSI到LSI时代,芯片的设计和加工相对较 为直接,上图给出了制作一个早期nMOS所需的淀 积层。图中器件的特征尺寸远大于1。如图所 示,由于特征高度的变化,硅片上各层并不平坦 这将成为ⅥS时代所需的多层金属高密度芯片 制造的限制因素 随着特征尺寸越来越小,在当今的高级微芯 片加工过程中,需要6层甚至更多的金属来做连 接(第六页的图),各金属之间的绝缘就显得非 常重要,所以,在芯片制造过程中,淀积可靠的 薄膜材料至关重要。薄膜制备是硅片加工中的 个重要工艺步骤 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda 电信学院微电子教研室电信学院微电子教研室 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda 引 言 从MSI到LSI时代，芯片的设计和加工相对较 为直接，上图给出了制作一个早期nMOS所需的淀 积层。图中器件的特征尺寸远大于1µm。如图所 示，由于特征高度的变化，硅片上各层并不平坦 ，这将成为VLSI时代所需的多层金属高密度芯片 制造的限制因素。 随着特征尺寸越来越小，在当今的高级微芯 片加工过程中，需要6层甚至更多的金属来做连 接（第六页的图），各金属之间的绝缘就显得非 常重要，所以，在芯片制造过程中，淀积可靠的 薄膜材料至关重要。薄膜制备是硅片加工中的一 个重要工艺步骤