ULS硅片上的多层金属化 钝化层 压点金属 LD-4 M-3%%%%%%8 ILD-2 國M1交交 ILD-1 屋燃网 LI oxide pt n-well p-well p Epitaxial layer p* silicon substrate 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda Figure 11.3 电信学院微电子教研室电信学院微电子教研室 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda ULSI硅片上的多层金属化 Figure 11.3 钝化层 压点金属 p + Silicon substrate Via ILD-2 ILD-3 ILD-4 ILD-5 M-1 M-2 M-3 M-4 p - Epitaxial layer p + ILD-6 LI oxide STI n-well p-well ILD-1 Poly gate n + p + p + n + n + LI metal