感应磁场，由此，质子所感受到的磁场强度并不完全等于外磁场强度。质子周围的电子使质 子实际成受到的磁场强度往往比外加磁场强度要弱，这或是说，申子对外磁场右屏药作用 其屏蔽效应的大小一般决定于质子周围电子云密度的高低。电子云密度愈高，屏蔽效应愈大 该质子的信号需在更高的磁场强度下才能获得。反之，电子和外磁场平行排列，增加了外磁 场强度，质子就受到去屏蔽作用。该质子的信号只需在较低的磁场强度下就能获得。上述两 种效应分别称为抗磁屏蔽效应和顺磁屏蔽效应。 在HR测定中，化合物中的各种氢核，处于不同的化学环境之中，它们都受到核 外电子的屏蔽，这些核外电子的密度又受其邻近原子的电负性、原子间键的性质以及杂化等 种影响，屏蔽程度亦各不相同，由此，不同的H,其共振须率都各有差异。它们实受到 的磁场往往小于0。 各种不同化学环境的H共振频率相差不大，如在IO0Mz的仪器上H的共振频率的 差别约为1500z。由于无法以裸核作标准测出其绝对值，所以选用一种标准物质，以标准 物质的共振峰与测定化合物中的各种H的相对距离五数，作为这些H的化学位移。 由此 化学位移的定义可以下式表示。 =样品二标准×10 标准 6为化学位移，V为频率，单位为周/s。由于磁场强度与共振频率成正比关系，上式 亦可表示为： 样品-标准x10 H标准 由于标准的共振频率数目较大，且与辐射频率相差不多，为方便起见，即以ⅴ辐射频率 代替v标准，单位为周/s。因数值太小，为便于计算，各乘以10并设单位为ppm(part per million). 。=样品-标准×10 辐射频率 最常用的标准物质为四甲基硅烧C日：)Si.简称TMS。由于Si的申负性低，四甲基 氢的屏蔽效应大.它的共振信号在高场位，且为强而锐的吸收峰。以MS的共振蜂为零(8 s=0)。共振峰的共振频率与TMS相差60周/s时，6为1：相差120周/s时，6为2： 依此类推。 060-0 60x10x10=1ppm 120-0 60x10*10=2pm 核磁共振谱图中，常以化学位移6为横坐标表示。化学位移也有用τ表示的。ī的定义 为10一8=T。例如，8=2，则T=8。 用6表示时，0是高场：用ī表示时，10是高场。有些化合物的质子信号，发生在6= 0以下，6是负数，表示屏蔽效应很强：反之 8 10以上，表示去屏蔽效应很强。以6表 示化学位移，不因仪器不同而有所差异，使用方便，现为国际上采用。 下面列举一些基团中质子的化学位移(6值)。见表8一2.8一3,8一4。 感应磁场，由此，质子所感受到的磁场强度并不完全等于外磁场强度。质子周围的电子使质 子实际感受到的磁场强度往往比外加磁场强度要弱，这就是说，电子对外磁场有屏蔽作用。 其屏蔽效应的大小一般决定于质子周围电子云密度的高低。电子云密度愈高，屏蔽效应愈大， 该质子的信号需在更高的磁场强度下才能获得。反之，电子和外磁场平行排列，增加了外磁 场强度，质子就受到去屏蔽作用。该质子的信号只需在较低的磁场强度下就能获得。上述两 种效应分别称为抗磁屏蔽效应和顺磁屏蔽效应。 在 1H NMR 测定中，化合物中的各种氢核，处于不同的化学环境之中，它们都受到核 外电子的屏蔽，这些核外电子的密度又受其邻近原子的电负性、原子间键的性质以及杂化等 多种影响，屏蔽程度亦各不相同，由此，不同的 1H，其共振频率都各有差异。它们实受到 的磁场往往小于 H0。 各种不同化学环境的 1H 共振频率相差不大，如在 100MHz 的仪器上 1H 的共振频率的 差别约为 1500Hz。由于无法以裸核作标准测出其绝对值，所以选用一种标准物质，以标准 物质的共振峰与测定化合物中的各种 1H 的相对距离 Hz 数，作为这些 1H 的化学位移。 由此，化学位移的定义可以下式表示： 6 10 v v v   样品－ 标准 ＝ 标准 δ为化学位移，v 为频率，单位为周／s。由于磁场强度与共振频率成正比关系，上式 亦可表示为： 0 0 6 0 10 H H H   样品－ 标准 ＝ 标准 由于标准的共振频率数目较大，且与辐射频率相差不多，为方便起见，即以 v 辐射频率 代替 v 标准，单位为周／s。因数值太小，为便于计算，各乘以 106 并设单位为 ppm(part per million)。 6 10 v v v   样品－ 标准 ＝ 辐射频率 最常用的标准物质为四甲基硅烷(CH3)4Si，简称 TMS。由于 Si 的电负性低，四甲基上 氢的屏蔽效应大．它的共振信号在高场位，且为强而锐的吸收峰。以 TMS 的共振峰为零(δ TMS＝0)。共振峰的共振频率与 TMS 相差 60 周／s 时，δ为 1；相差 120 周／s 时，δ为 2； 依此类推。 6 6 60 0 10 1ppm 60 10    － ＝ ＝ 6 6 0 10 ppm 60 10    120－ ＝ ＝2 核磁共振谱图中，常以化学位移δ为横坐标表示。化学位移也有用τ表示的。τ的定义 为 10—δ＝τ。例如，δ＝2，则τ＝8。 用δ表示时，0 是高场；用τ表示时，10 是高场。有些化合物的质子信号，发生在δ＝ 0 以下，δ是负数，表示屏蔽效应很强；反之，δ＝10 以上，表示去屏蔽效应很强。以δ表 示化学位移，不因仪器不同而有所差异，使用方便，现为国际上采用。 下面列举一些基团中质子的化学位移(δ值)。见表 8—2。8—3，8—4