点击下载:清华大学:《VLSI设计导论》第二章 集成电路工艺基础
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2.离子注入 N(x)=Nme x-Rp)/ 硼原子数 0< Nmax opio p R p 深度ⅹ 2021/2/212021/2/21 11 2.离子注入 N e p p x R N x [ 2 ] max 2 2 ( ) ( ) − = − σp σp Nmax 0 Rp 深度 X 硼原子数 0<X<
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