1.扩散:扩散炉与氧化炉基本相同,只是将要掺入的 杂质如P或B的源放入炉管内 扩散分为两步: STEPI预淀积:将浓度很高的一种杂质元素P或B淀积在硅 片表面 ●STEP2推进:在高温、高压下,使硅片表面的杂质扩散到硅 片内部 实验分析表明:P的浓度分布可由下式表示: P(x) Nr 2(Dt) 其中,Nr:预淀积后硅片表面浅层的P原子浓度 Nx=3×10(1/cm) D:P的扩散系数t:扩散时间x:扩散深度 只要控制Nr、T、t三个因素就可以决定扩散深度及浓度 2021/2/212021/2/21 10 1. 扩散：扩散炉与氧化炉基本相同，只是将要掺入的 杂质如P或B的源放入炉管内。 扩散分为两步： ⚫ STEP1 预淀积：将浓度很高的一种杂质元素P或B淀积在硅 片表面。 ⚫ STEP2 推进：在高温、高压下，使硅片表面的杂质扩散到硅 片内部。 实验分析表明：P的浓度分布可由下式表示： 其中，NT：预淀积后硅片表面浅层的P原子浓度 D：P的扩散系数 t ：扩散时间 x：扩散深度 只要控制NT 、T、t 三个因素就可以决定扩散深度及浓度。 e Dt N Dt T x P x 4 2 1 2 2( ) ( ) = 3 10 (1 ) 15 NT =  cm