§6.2nFET电流一电压方程 例6.1：一个nFET,其栅氧层厚度为tx=12nm, 电子迁移率为4，=540cm2/(V·s) 每cm的氧化层电容为 Cm-398-39x8854×10-4 1.2×10-6 —=2.88×10-7F/cm2 工艺互导为 kn=4nCm=540×2.88×10-7=1.55×104A/W2=155uA/V2 若氧化层厚度为tox=8nm, 则工艺互导为k,=233μAV2，说明器件更加灵敏。 2018-9-5 第6章MOSFET的电气特性 15 §6.2nFET电流一电压方程 例6.2：一个具有下列特性的n沟道MOSFET: tox=10nm,4n=520cm2/(V.s),(W1L)=8,'m=0.7V, 氧化层电容 3.9×8.854×10-14 10×10-7 =3.453×10-7F/cm2 工艺互导为 k,=4nCa=520×3.453×10-7=1.8×10-4A/V2=180μA/V2 器件互号为民-（艺）=-180uA×8=14mAN 2018-9-5 第6章MOSFET的电气特性 162018-9-5 第6章 MOSFET的电气特性 15 tox =12nm， 540cm /(V s) 2 n μ = ⋅ 7 2 6 14 0 2.88 10 F/cm 1.2 10 3.9 3.9 8.854 10 − − − = × × × × = = ox ox t C ε ' 7 4 2 2 = = 540× 2.88×10 =1.55×10 A/V =155μA/V − − n nCox k μ tox = 8nm， ' 2 kn = 233μA/V 例6.1：一个nFET，其栅氧层厚度为 电子迁移率为 每cm2的氧化层电容为 工艺互导为 若氧化层厚度为 则工艺互导为 ，说明器件更加灵敏。 §6.2 nFET电流—电压方程 2018-9-5 第6章 MOSFET的电气特性 16 10nm, 520cm /(V s),( / ) 8, 0.7V, 2 tox = μn = ⋅ W L = VTn = 7 2 7 14 3.453 10 F/cm 10 10 3.9 8.854 10 − − − = × × × × = = ox ox ox t C ε ' 7 4 2 2 = = 520×3.453×10 =1.8×10 A/V =180μA/V − − n nCox k μ ' 2 = ( ) =180μA×8 =1.44mA/V L W k β n n 例6.2：一个具有下列特性的n沟道MOSFET： 氧化层电容 工艺互导为 器件互导为 §6.2 nFET电流—电压方程