§6.2nFET电流一电压方程 若nFET的电压'csn=2V,'osm=2V, 'cm-'m=2-0.7=1.3V<'osm=2V nFET饱和，所以 1an-W-5)P-14(2-07y=1217mA 2 2 若nFET的电压'csm=2V,'nsn=1.2V, Vcsm-'m=2-0.7=1.3V>Vosm=1.2V nFET非饱和，所以 1nm-号2Ua-ym.-%l s1.44 2×1.3×1.2-1.22)=1.210mA 2 2018-9-5 第6章MOSFET的电气特性 §6.2nFET电流一电压方程 沟道长度调制效应 Ipn non-←=i→saturation saturation VGSn VTn 0 Vsat VDSn 1nm*号(as-ynI+i-y】 1:沟道长度调制参数 饱和电压：V.a=Vps peak cumrent='csn-'n 2018-9-5 第6章MOSFET的电气特性 182018-9-5 第6章 MOSFET的电气特性 17 VGSn −VTn = 2 − 0.7 =1.3V <VDSn = 2V (2 0.7) 1.217mA 2 1.44 ( ) 2 2 2 = GSn − Tn = − = n I Dn V V β = 2V, =1.2V, VGSn VDSn VGSn −VTn = 2 − 0.7 =1.3V >VDSn =1.2V (2 1.3 1.2 1.2 ) 1.210mA 2 1.44 [2( ) ] 2 2 2 = × × − = = GSn − Tn DSn − DSn n I Dn V V V V β nFET饱和，所以 若nFET的电压 nFET非饱和，所以 = 2V, = 2V, 若nFET的电压 VGSn VDSn §6.2 nFET电流—电压方程 2018-9-5 第6章 MOSFET的电气特性 18 §6.2 nFET电流—电压方程 ( ) [1 ( )] 2 2 GSn Tn DSn sat n I Dn ≈ V −V + λ V −V β λ：沟道长度调制参数 Vsat =VDSn peak current =VGSn −VTn 饱和电压： | ™沟道长度调制效应