M ∑ d d (c) 图8-1-1磁化强度和磁化电流的关系 引入分子平均磁矩m,∑,其中n为分子数密度,则M=m。再设由一等效分子电流产生,则m=S。而 n△ 中各分子具有相同mn 考虑磁介质中任一闭合回路L和以它为周线的曲面S(图8-1-1a),设通过的总磁化电流为ΣⅠ,其正向与绕行方向满 足右手定则。显然,只有从S内穿过,且在S外闭合的分子电流对∑有贡献。 考虑L上的一段弧元d,设该处M与d夹θ角。当0<90°时(图8-1-1b),对Σ/有贡献的分子,其中心应位于以为 轴,Scos为底,d为高的圆柱体中,总数为 nS,cosell,产生的磁化电流= IanSacosed-nn=Mdl当>90°时(图8-1-1c) 磁化电流为负,而cos也为负,所以上式仍成立。 所以,穿过的总磁化电流满足5M=∑r。(假设分子具有不同磁矩,证明该结论。)第八章 磁介质 3 引入分子平均磁矩 n V a ∆ m分子 m ∑ = 其中 n 为分子数密度 则 M=nma 再设由一等效分子电流产生 则 ma=IaSa 而∆V 中各分子具有相同 ma 考虑磁介质中任一闭合回路 L 和以它为周线的曲面 S 图 8-1-1 a 设通过的总磁化电流为ΣI′ 其正向与绕行方向满 足右手定则 显然 只有从 S 内穿过 且在 S 外闭合的分子电流对ΣI′有贡献 考虑 L 上的一段弧元 dl 设该处 M 与 dl 夹θ角 当θ<90°时 图 8-1-1 b 对ΣI′有贡献的分子 其中心应位于以 dl 为 轴 Sacosθ为底 dl 为高的圆柱体中 总数为 nSacosθdl 产生的磁化电流=IanSacosθdl=nma·dl=M·dl 当θ>90°时 图 8-1-1 c 磁化电流为负 而 cosθ也为负 所以上式仍成立 所以 穿过的总磁化电流满足∫ ⋅ = ∑ ′ LM dl I 假设分子具有不同磁矩 证明该结论