3.1q-Si:H半导体的物理基础 3.1.1a-SiH的结构特征 a-Si中四个价电子经SP3杂化，近邻原子的价电子之间形成共价键。 在α-Si中键角和键长有一定程度的畸变。 还包含有大量的悬挂键(3%~10%)、空位等缺陷，因而α-Si有很高的缺 陷态密度。 空位弱键 悬挂键 Si原了 H 微孔 ●Si a-Si中的主要缺陷 a-Si:H的结构模型3.1 α-Si:H半导体的物理基础 3.1.1 α-Si:H的结构特征 • α-Si中四个价电子经SP3杂化，近邻原子的价电子之间形成共价键。 • 在α-Si中键角和键长有一定程度的畸变。 • 还包含有大量的悬挂键（3%～10%）、空位等缺陷，因而α-Si有很高的缺 陷态密度。 a-Si中的主要缺陷 a-Si:H的结构模型