5.2SEM的像衬度原理及其应用 +250~500Y 电子检测器 电子检测器 样品 (a) (b) 值得注意的是，二次电了检测器装在样品上方的一侧， 次电子图像的亮度不仅与二次电子的发射数自有关 ( 即与w角有关)，而且与能否被检测器检测到有关。 例如在样品上的一个“小山峰”的两侧，背向检测器一 侧区域所发射的二次电子有可能不能到达检测器，此处 在二次电子像中就可能成为阴影，如图5-8a)所示。为 了解决这个问题，在电子检测器的法拉第罩上加200~ 500正偏压，吸引低能二次电子，使背向检测器的那些 区域产生的二次电子仍有相当一部分可以通过弯曲轨迹 到达检测器（如图5-8,6）)，有利于显示背向检测器的样 品区域细节，大大减小了阴影对形貌显示的不利影响。5.2 SEM的像衬度原理及其应用 值得注意的是，二次电了检测器装在样品上方的一侧， 二次电子图像的亮度不仅与二次电子的发射数目有关 （即与ψ角有关），而且与能否被检测器检测到有关。 例如在样品上的一个“小山峰”的两侧，背向检测器一 侧区域所发射的二次电子有可能不能到达检测器，此处 在二次电子像中就可能成为阴影，如图5-8 a)所示。为 了解决这个问题，在电子检测器的法拉第罩上加200～ 500V正偏压，吸引低能二次电子，使背向检测器的那些 区域产生的二次电子仍有相当一部分可以通过弯曲轨迹 到达检测器(如图5-8, b）)，有利于显示背向检测器的样 品区域细节，大大减小了阴影对形貌显示的不利影响