第章半导体传感器 (2)MOS场效应晶体管气敏器件钯MOS场效应晶体管(Pd- MOSFET) 的结构(图96)。由于Pd对H2很强的吸附性,当H2吸附在Pd栅极上时, 会引起Pd的功函数降低 Pd-MOSFET气敏器件机理:就是利用H2在钯栅极上吸附后引起阈值电 压UT下降这一特性来检测H2浓度的。 PdFl 图9-6钯MOS场效 应晶体管的结构第9章 半导体传感器 (2)MOS场效应晶体管气敏器件 钯-MOS场效应晶体管(Pd-MOSFET) 的结构（图9-6 ）。由于Pd对H2很强的吸附性，当H2吸附在Pd栅极上时， 会引起Pd的功函数降低。 Pd—MOSFET气敏器件机理：就是利用H2在钯栅极上吸附后引起阈值电 压UT下降这一特性来检测H2浓度的。 P—Si N＋ N＋ Al SiO2 S Pd栅 D 图 9-6 钯—MOS场效 应晶体管的结构