第章半导体传感器 因此由等效电路可知,总电容C也是栅偏压的函数。其函数关系称为 该类MOS二极管的CU特性,如图95(c)曲线a所示。由于钯对氢气(H2 特别敏感,当钯吸附了H2以后,会使钯的功函数降低,导致MOS管的CU 特性向负偏压方向平移,如图95(c)曲线b所示。根据这一特性就可用于测 定H2的浓度。 M(Pd) 图95MOS二极管结构和等效电路 (结构;(b)等效电路;()CU特性(c)第9章 半导体传感器 因此由等效电路可知，总电容C也是栅偏压的函数。其函数关系称为 该类MOS二极管的C-U特性，如图9-5（c）曲线a所示。由于钯对氢气(H2) 特别敏感，当钯吸附了H2以后，会使钯的功函数降低，导致MOS管的C-U 特性向负偏压方向平移，如图9-5(c)曲线b所示。根据这一特性就可用于测 定H2的浓度。 M(Pd) SiO2 P—S i Ca Cs C O V a b (a) (b) (c) 图 9-5 MOS二极管结构和等效电路 (a) 结构； (b) 等效电路； (c) C-U特性