第章半导体传感器 交(1)MOS二极管气敏器件MoS二极管气敏元件制作过程是 型半导体硅片上,利用热氧化工艺生成一层厚度为50~100nm的二 氧化硅(SiO2)层,然后在其上面蒸发一层钯(Pd的金属薄膜,作为栅电 极,如图9-5(a)所示。由于SiO2层电容C固定不变,而S和SO2界面电容 C是外加电压的函数(其等效电路如图9-5(b), M(Pd 彡s0 P—Si b (a) (C) 图95MOS二极管结构和等效电路 (a)结构;(b)等效电路;(c)C-U特性第9章 半导体传感器 (1) MOS二极管气敏器件 MOS二极管气敏元件制作过程是 在P型半导体硅片上，利用热氧化工艺生成一层厚度为50~100 nm的二 氧化硅(SiO2 )层，然后在其上面蒸发一层钯(Pd)的金属薄膜，作为栅电 极，如图9-5(a)所示。由于SiO2层电容Ca固定不变， 而Si和SiO2界面电容 Cs是外加电压的函数(其等效电路如图9-5(b))， M(Pd) SiO2 P—S i Ca Cs C O V a b (a) (b) (c) 图 9-5 MOS二极管结构和等效电路 (a) 结构； (b) 等效电路； (c) C-U特性