集成运放的电路组成 汉 工艺特点： (1)级间采用直接耦合方式，利用对称结构改 善电路性能。 (2)电阻元件由硅半导体构成，范围在几十到 20千欧，精度低。高阻值电阻用三极管有源元 件代替或外接 。 (3)几十pF以下的小电容用PN结的结电容构成、 大电容要外接。 (4)二极管一般用三极管的发射结构成。 HOME BACK NEXT（1）级间采用直接耦合方式，利用对称结构改 善电路性能。 （2）电阻元件由硅半导体构成，范围在几十到 20千欧，精度低。高阻值电阻用三极管有源元 件代替或外接。 （3）几十 pF 以下的小电容用PN结的结电容构成、 大电容要外接。 （4）二极管一般用三极管的发射结构成。 一、集成运放的电路组成 工艺特点：