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《医学电子学基础》课程教学资源(课件讲稿)第4章 集成运算放大器 integrated operational amplifier

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第一节 集成运放的组成与性能 第二节 运算放大器的基本电路 第三节 集成运放在信号测量及处理方面的应用
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第四章集成运算 放大器 integrated operational amplifier

第四章 集成运算 放大器 integrated operational amplifier

第一节集成运放的组成与性能 汉 集成电路:将整个电路的各个元件做在同一个半导 体基片上。 集成电路的优点: 工作稳定、使用方便、体积小、重量轻、功耗 小。电路元件制作在一个芯片上,元件参数偏 差方向一致,温度均一性好。 集成运算放大器: 将整个运算放大器集成在一个小硅片上 用于模拟计算机中进行各种数学运算 放大、振荡、调制、解调及模拟信号运算和 脉冲信号的产生 HOME BACK NEXT

集成电路: 将整个电路的各个元件做在同一个半导 体基片上。 集成电路的优点: 工作稳定、使用方便、体积小、重量轻、功耗 小。电路元件制作在一个芯片上,元件参数偏 差方向一致,温度均一性好。 集成运算放大器: 将整个运算放大器集成在一个小硅片上 用于模拟计算机中进行各种数学运算 放大、振荡、调制、解调及模拟信号运算和 脉冲信号的产生 第一节 集成运放的组成与性能

集成运放的电路组成 汉 工艺特点: (1)级间采用直接耦合方式,利用对称结构改 善电路性能。 (2)电阻元件由硅半导体构成,范围在几十到 20千欧,精度低。高阻值电阻用三极管有源元 件代替或外接 。 (3)几十pF以下的小电容用PN结的结电容构成、 大电容要外接。 (4)二极管一般用三极管的发射结构成。 HOME BACK NEXT

(1)级间采用直接耦合方式,利用对称结构改 善电路性能。 (2)电阻元件由硅半导体构成,范围在几十到 20千欧,精度低。高阻值电阻用三极管有源元 件代替或外接。 (3)几十 pF 以下的小电容用PN结的结电容构成、 大电容要外接。 (4)二极管一般用三极管的发射结构成。 一、集成运放的电路组成 工艺特点:

汉 组成: 输入端 输入级 中间级 输出级 输出端 偏置 电路 对输入级的要求:尽量减小零点漂移,尽量提高 KCMRR,输入阻抗:尽可能大。 对中间级的要求:足够大的电压放大倍数。 对输出级的要求:主要提高带负载能力,给出足 够的输出电流in。即输出阻抗r,小。 HOME BACK NEXT

组成: 对输入级的要求:尽量减小零点漂移,尽量提高 KCMRR , 输入阻抗 ri尽可能大。 对中间级的要求:足够大的电压放大倍数。 对输出级的要求:主要提高带负载能力,给出足 够的输出电流io 。即输出阻抗 ro小

集成运放的电原理框图 : 第2级 ● E3 E RE2 第1级:差动放大器 差动放大器 HOME 第3级:单管放大器 第4级:互补对称射极跟随器

-UEE +UCC E RC T1 RC T2 T5 T6 RC3 RE2 RC4 RE3 T7 T9 T8 RE4 RE5 T11 T10 RL 第4级:互补对称射极跟随器 差动放大器 第2级 第1级:差动放大器 第3级:单管放大器 集成运放的电原理框图

原理框图: +U 与u,反相 反相 输入端 W_ 同相 输入端 输入级 中 级 输出级 UEE 与u同相 HOME BACK NEXT

UEE +UCC u+ uo u– 反相 输入端同相 输入端 T3 T4 T5 T1 T2 IS 原理框图: 输入级 中间级 输出级 与uo反相 与uo同相

汉 集成运放的结构 (1)输入级和第二级一般采用差动放大器。采用 复合三极管或场效应管,以减小输入电流, 增加输入电阻。 (2)中间级采用四级以上的共发射极放大器。 (3)输出级采用互补对称式射极跟随器,以进行 功率放大,提高带负载的能力。 HOME BACK NEXT

集成运放的结构 (1)输入级和第二级一般采用差动放大器。采用 复合三极管或场效应管,以减小输入电流, 增加输入电阻。 (2)中间级采用四级以上的共发射极放大器。 (3)输出级采用互补对称式射极跟随器,以进行 功率放大,提高带负载的能力

二、一集成运放的主要性能指标 汉 1.开环差模电压放大倍数K 无外加反馈回路的差模放大倍数。一般在 105~107(或60~100dB)之间。理想运放 的K为o。 2.共模抑制比CMRR 常用分贝作单位,一般100dB以上。 3.输入阻抗r >1M2,有的可达100M2以上。 4.输出阻抗1。 r。=几2-几十2。 HOME BACK NEXT

⒈ 开环差模电压放大倍数Kd 无外加反馈回路的差模放大倍数。一般在 10 5  10 7(或60~100dB)之间。理想运放 的Kd为。 ⒉ 共模抑制比CMRR 常用分贝作单位,一般100dB以上。 ⒊ 输入阻抗ri ri>1M, 有的可达100M以上。 ⒋ 输出阻抗ro ro =几-几十。 二、集成运放的主要性能指标

5.输入失调电压U 汉 反映了运放差动输入级的对称程度,失调电压 越大,运放的对称性越差。一般为毫伏级。 6.输入失调电流Is 由差动输入级两个晶体管B值不一致所引起的。 其他反映运放对称性、零漂等的参数。 HOME BACK NEXT

⒌ 输入失调电压Uis ⒍ 输入失调电流Iis 其他反映运放对称性、零漂等的参数。 反映了运放差动输入级的对称程度,失调电压 越大,运放的对称性越差。一般为毫伏级。 由差动输入级两个晶体管β值不一致所引起的

三、集成运放的理想模型 汉 运放的特点: :大:几十k2~几百k2 理想运放: CMRR很大 ':〉00 CMRR→oo r。小:几十心几百2 A,很大:104心107 ro-> 0 Aa→ 运放符号: u 00 + u+ 国内符号 国际符号 HOME BACK NEXT

ri大: 几十k  几百 k 运放的特点: CMRR很大 ro小:几十  几百 A d很大: 10 4  10 7 理想运放: ri   CMRR   ro  0 Ad   运放符号: + u- - u+ uo - + + u- u+ uo  o 国内符号 国际符号 三、集成运放的理想模型

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