多层复杂结构准LIGA一体化加工工艺的研究 旧数据 TA文献链接 姜勇,陈文元,赵小林,丁桂甫,倪志萍,王志民, JIANG yong, CHEN Wen-yuan ZHAO Xiao-lin, DING Gui-fu, NI Zhi-ping, WANG Zhi-min 作者单位: 上海交通大学,微纳米科学技术研究院,薄膜与微细技术教育部重点实验室微米与纳米加工技 术国家级重点实验室,上海,200030 刊名 微细加工技 英文刊名: MICROFABRICATION TECHNOLOGY 2005,(1) 引用次数: 0次 1.叶雄英.周兆英准LIGA工艺1996(1) 2.刘景全.朱军.丁桂甫.赵小林.蔡炳初用SU-8胶制高深宽比微结构的试验研究[期刊论文]-微细加工技术2002(1) 3.吴茂松.杨春生.茅昕辉.赵小林.蔡炳初MES螺线管型电感器正负胶结合的加工工艺[期刊论文]-微细加工技术 4. Paul M Dentinger. Clift w Miles. Steven H Goods Removal of Su-8 photoresist for thick film lications 2002 1.学位论文姜勇UQS机理及鉴码齿轮集一体化工艺研究2005 本文从S的基本原理出发,利用贝努利概率模型、相关性原理等数学工具,对U码的0阶相关、一阶相关、二阶相关性,在全部定义域内进行了 论,得到了8条US码所必须具备的数学特性。同时,对UQS码维数的抗相关性干扰能力也进行了一定的研究。根据研究得到的UQS码的数学特性,开发了 切实可行的Us码生成算法,并利用计算机编程实现了此算法,得到了UQS码数据库。根据US码数据库设计生成齿轮型鉴码机构的机械构造。针对 准LIGA技术只能加工准三维体的不足,为减小后续装配工作中的位置误差和累积误差,研究了一种一体化加工完成三维结构的加工方法。该方法是用基 于SU-8胶的准LIGA加工技术,结合多层套刻、种子层、表面活化技术来实现。通过试验摸索,使用基片底面加工对焦基准图形的方法实现多层套刻,使 用Cu作为电铸N的种子层,同时还得到一个切实可行的表面活化溶液配方,并成功一体化加工完成了鉴码齿轮集,对进一步拓展准LIGA工艺的应用范围 和推广亚5密码锁的应用具有重要的意义 2.学位论文宫德海 IGA技术的 随着微机电 断增长,以传统的微细加工方法成形微小制件难以满足微系统的应用要求,而用微型模具成形微小制 种微细加工方法的技术特点及其在微型模具制造中的应用状况,重点阐述了以LIGA和准IGA技术为代表的光加工技术的原理及应用,并以此作为本课题试 验部分的理论依据.在试验中,通过 UV-LIGA技术中的SU-8胶光刻和镍的微电铸工艺过程制作出了微型齿轮型腔镶块,镶块采用45#钢为基底,与电铸生长其 上的镍层共同构成微型齿轮型腔.同时分析总结了试验过程中的各个工艺参数对试验结果造成的影响以及改进方案最后对本试验所用微型注塑模具进行 了总体结构设计,清楚的分析了模具设计的整个过程以及与普通模具设计的不同之处,得到了模具的装配图和零件图同时为了更好的进行微型注塑试验 采用 oldflo软件对PP材料的注塑填充过程进行了模拟分析了注射压力、料温和模温等工艺参数在微型注塑填充过程中可能起到的影响作用 3.学位论文宋海英脉冲激光曝光SU-8光刻胶的基础与光刻技术研究2008 准LGA技术由于其成本低、加工过程简便而倍受微加工制造行业的高度关注。本论文利用激光的高方向性和脉冲的可控性,分别采用N:YAG二倍频 (532mm)、三倍频(355m)脉冲激光对SL-8胶进行曝光实验,研究高深宽比、曝光精确可控的 Laser-LIG新技术,主要内容包括:两种不同波长的脉冲激 光曝光SU-8胶后产生的光化学变化、脉冲曝光光刻的工艺过程、以及提高光刻深宽比和曝光剂量精确可控的技术途径 对经过532m激光曝光 后的S-8胶进行了x射线光电子能谱(xPS分析,对比结果显示没有发生分子结构上的变化,F元素的摩尔含量亦未减少,表明532mm光子与光引发剂未产 酸催化反应由此断定曝光未导致分子间的环氧环交联,故532m激光不宜用作SU-8较曝光光刻光源。这一结论在曝光光刻制备微结构的实验中已进一步 得到证实 2、将355m微光翠光的实验样品进行XP分析,结果显示F元素的含量大大降低,C元素及0元素的中心峰位置基本没有发生移动,即元素 催化反应外没有发生其它化学反应。为了进一步证实这一结论我们对同一样品进行了傅立叶变换红外光谱(FT-1R)分析结果显示:在环氧基对应的914 1、862c斷-1峰处,吸收峰强明显降低:在C-H键对应的972cm-1峰处峰强也相应降低。这就表明曝光后环氧基发生了分解,化学键发生变化的位置主 要集中在环氧环上,即:曝光区原单分子中环氧基上的环氧环断开,与邻近分子的环氧环相互交联成长链分子并形成网状结构。因此,证明了355m激光曝 光SU-8胶进行光刻微结构制备在机理上是完全可行的 3、在机理分析的基础上,对355m脉冲激光曝光光刻工艺进行了研究,包括胶的黏度系数和 胶厚与显影时间、曝光剂量与光刻深度等之间的依赖关系。结果表明,曝光深度与单脉冲能量呈非线性变化,而与曝光脉冲数呈线性变化。因此,从实验上 证实了我们提出的采用超短脉冲激光曝光可精确控制曝光剂量的技术思路。最后,通过对激光光束整形、扩束,在柬腰处进行掩模曝光光刻,获得了最大 宽比为15的侧壁陡直、无倒角的微结构图案 本文链接http://d.g.wanfangdata.comcn/periodiCalwxjgjs200501017.aspx 下载时间:2010年2月15日多层复杂结构准LIGA一体化加工工艺的研究 作者： 姜勇， 陈文元， 赵小林， 丁桂甫， 倪志萍， 王志民， JIANG yong， CHEN Wen-yuan ， ZHAO Xiao-lin， DING Gui-fu， NI Zhi-ping， WANG Zhi-min 作者单位： 上海交通大学,微纳米科学技术研究院,薄膜与微细技术教育部重点实验室微米与纳米加工技 术国家级重点实验室,上海,200030 刊名： 微细加工技术 英文刊名： MICROFABRICATION TECHNOLOGY 年，卷(期)： 2005，(1) 引用次数： 0次 参考文献(4条) 1.叶雄英.周兆英 准LIGA工艺 1996(1) 2.刘景全.朱军.丁桂甫.赵小林.蔡炳初 用SU-8胶制高深宽比微结构的试验研究[期刊论文]-微细加工技术 2002(1) 3.吴茂松.杨春生.茅昕辉.赵小林.蔡炳初 MEMS螺线管型电感器正负胶结合的加工工艺[期刊论文]-微细加工技术 2002(2) 4.Paul M Dentinger.Clift W Miles.Steven H Goods Removal of SU-8 photoresist for thick film applications 2002 相似文献(3条) 1.学位论文 姜勇 UQS机理及鉴码齿轮集一体化工艺研究 2005 本文从UQS的基本原理出发，利用贝努利概率模型、相关性原理等数学工具，对UQS码的0阶相关、一阶相关、二阶相关性，在全部定义域内进行了讨 论，得到了8条UQS码所必须具备的数学特性。同时，对UQS码维数的抗相关性干扰能力也进行了一定的研究。根据研究得到的UQS码的数学特性，开发了 一种切实可行的UQS码生成算法，并利用计算机编程实现了此算法，得到了UQS码数据库。 根据UQS码数据库设计生成齿轮型鉴码机构的机械构造。针对 准LIGA技术只能加工准三维体的不足，为减小后续装配工作中的位置误差和累积误差，研究了一种一体化加工完成三维结构的加工方法。该方法是用基 于SU-8胶的准LIGA加工技术，结合多层套刻、种子层、表面活化技术来实现。通过试验摸索，使用基片底面加工对焦基准图形的方法实现多层套刻，使 用Cu作为电铸Ni的种子层，同时还得到一个切实可行的表面活化溶液配方，并成功一体化加工完成了鉴码齿轮集，对进一步拓展准LIGA工艺的应用范围 和推广MEMS密码锁的应用具有重要的意义。 2.学位论文 宫德海 基于准LIGA技术的微型齿轮型腔成形工艺研究及模具设计 2005 随着微机电系统技术的发展对微型制件需求的不断增长,以传统的微细加工方法成形微小制件难以满足微系统的应用要求,而用微型模具成形微小制 件,具有生产效率高,制件质量稳定等优点,成为微成形加工领域的重要工艺发展方向.本课题在介绍微型制件及微型模具成形特点的基础上,全面分析了各 种微细加工方法的技术特点及其在微型模具制造中的应用状况,重点阐述了以LIGA和准LIGA技术为代表的光加工技术的原理及应用,并以此作为本课题试 验部分的理论依据.在试验中,通过UV-LIGA技术中的SU-8胶光刻和镍的微电铸工艺过程制作出了微型齿轮型腔镶块,镶块采用45＃钢为基底,与电铸生长其 上的镍层共同构成微型齿轮型腔.同时分析总结了试验过程中的各个工艺参数对试验结果造成的影响以及改进方案.最后对本试验所用微型注塑模具进行 了总体结构设计,清楚的分析了模具设计的整个过程以及与普通模具设计的不同之处,得到了模具的装配图和零件图.同时为了更好的进行微型注塑试验 ,采用Moldflow软件对PP材料的注塑填充过程进行了模拟,分析了注射压力、料温和模温等工艺参数在微型注塑填充过程中可能起到的影响作用. 3.学位论文 宋海英 脉冲激光曝光SU-8光刻胶的基础与光刻技术研究 2008 准LIGA技术由于其成本低、加工过程简便而倍受微加工制造行业的高度关注。本论文利用激光的高方向性和脉冲的可控性,分别采用Nd:YAG二倍频 (532 nm)、三倍频(355 nm)脉冲激光对SU-8胶进行曝光实验,研究高深宽比、曝光精确可控的Laser-LIGA新技术,主要内容包括：两种不同波长的脉冲激 光曝光SU-8胶后产生的光化学变化、脉冲曝光光刻的工艺过程、以及提高光刻深宽比和曝光剂量精确可控的技术途径。 1、对经过532 nm激光曝光 后的SU-8胶进行了X射线光电子能谱(XPS)分析,对比结果显示没有发生分子结构上的变化,F元素的摩尔含量亦未减少。表明532 nm光子与光引发剂未产生 酸催化反应,由此断定曝光未导致分子间的环氧环交联,故532 nm激光不宜用作SU-8胶曝光光刻光源。这一结论在曝光光刻制备微结构的实验中已进一步 得到证实。 2、将355 nm激光曝光的实验样品进行XPS分析,结果显示F元素的含量大大降低,C元素及O元素的中心峰位置基本没有发生移动,即元素 的主要价态没有发生变化。F元素的含量降低表明355 nm光子与光引发剂可能发生了酸催化反应而生成催化剂HSbF2;而C、O元素的价态没有变化表明除酸 催化反应外没有发生其它化学反应。为了进一步证实这一结论,我们对同一样品进行了傅立叶变换红外光谱(FT-IR)分析,结果显示：在环氧基对应的914 cm-1、862 cm-1峰处,吸收峰强明显降低；在C-H键对应的972 cm-1峰处,峰强也相应降低。这就表明,曝光后环氧基发生了分解,化学键发生变化的位置主 要集中在环氧环上,即：曝光区原单分子中环氧基上的环氧环断开,与邻近分子的环氧环相互交联成长链分子并形成网状结构。因此,证明了355 nm激光曝 光SU-8胶进行光刻微结构制备在机理上是完全可行的。 3、在机理分析的基础上,对355 nm脉冲激光曝光光刻工艺进行了研究,包括胶的黏度系数和 胶厚与显影时间、曝光剂量与光刻深度等之间的依赖关系。结果表明,曝光深度与单脉冲能量呈非线性变化,而与曝光脉冲数呈线性变化。因此,从实验上 证实了我们提出的采用超短脉冲激光曝光可精确控制曝光剂量的技术思路。最后,通过对激光光束整形、扩束,在束腰处进行掩模曝光光刻,获得了最大深 宽比为15的侧壁陡直、无倒角的微结构图案。 本文链接：http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_wxjgjs200501017.aspx 下载时间：2010年2月15日