2跨导线性原理 当考虑T环路中发射区面积之比时,式(7-1-4)和(7-1-5)可分别表示为 Ⅱ=1Ⅱ∴I=xII CCw 式中λ为发射区面积比例系数:=4①4;称为发射结面积因子 CCw 另外在TL环路的设计和制造工艺中,发射结面积因子A应尽可能接近1, 但这并不要求所有发射结面积都相等。实际上各管的发射结面积可以为不同 数值,但=14①4的值必须尽可能保证为1 CH CCw 若λ不能保证为1,则发射区面积之比的误差,就等效为结电压 lB的失调。这就会引起集成电路芯片内的热梯度,导致VB失调的 温度漂移。分析指出,在TL环路中,只有在使λ精确为1时,才能 使所描述的电路具有高精度和高的温度稳定性。 最后陈述跨导线性环原理如下:在含有偶数个正偏发射结, 且顺时针方向结的数目与反时针方向结的数目相等的闭环回路中, 顺时针方向发射极电流密度之积等于反时针方向发射极电流密度 之积。2 跨导线性原理 当考虑 TL 环路中发射区面积之比时，式（7-1-4）和（7-1-5）可分别表示为   =   cj ccw j cj cw j I ) A 1 I ) ( A 1 (  cw =  ccw cj cj I  I 式中λ为发射区面积比例系数： =  ccw j cw  Aj / A ；称为发射结面积因子 另外在 TL 环路的设计和制造工艺中，发射结面积因子λ应尽可能接近 1， 但这并不要求所有发射结面积都相等。实际上各管的发射结面积可以为不同 数值，但 =  ccw j c w  Aj / A 的值必须尽可能保证为 1 若λ不能保证为 1，则发射区面积之比的误差，就等效为结电压 VBE 的失调。这就会引起集成电路芯片内的热梯度，导致 VB E 失调的 温度漂移。分析指出，在 TL 环路中，只有在使λ精确为 1 时，才能 使所描述的电路具有高精度和高的温度稳定性。 最后陈述跨导线性环原理如下：在含有偶数个正偏发射结， 且顺时针方向结的数目与反时针方向结的数目相等的闭环回路中， 顺时针方向发射极电流密度之积等于反时针方向发射极电流密度 之积