2跨导线性原理 ∑ ∑ Vr In 利用对数的性质 T2 g (7-1-3) CCH 由于在TL环路中发射结反向 饱含电流I;与发射结的面 积成正比,在TL环路的制 造工艺中可控制发射区的几 何尺寸来实现所需的发射区 面积之比。因此上式中的Is可表示为:14J5 或中,A3是第j个结的发射区面积,J是由几何尺寸决定的发射结反向饱含电流密度。 由式(713)可导出有用的理论公式∏工 (7-1-4) 上式中—恰好是发射极电流密度,于是就能以最简明紧凑的形 式来表达回路原理Js=IJ(7=1-5 c2 跨导线性原理  =  ccw sj cj T sj cj cw T I I V ln I I V ln 利用对数的性质  =  cw ccw sj Cj sj cj I I I I （7-1-3） 由于在 TL 环路中发射结反向 饱含电流 Isj 与发射结的面 积成正比，在 TL 环路的制 造工艺中可控制发射区的几 何尺寸来实现所需的发射区 面积之比。因此上式中的 Isj 可表示为： Isj =Aj .Jsj 或中，Aj是第j 个结的发射区面积，Jsj是由几何尺寸决定的发射结反向饱含电流密度。 由式（7-1-3）可导出有用的理论公式 =  cw ccw j Cj j cj A I A I (7-1-4) 上式中 j cj A I 恰好是发射极电流密度，于是就能以最简明紧凑的形 式来表达 TL 回路原理  =  cw ccw J cj J cj (7-1-5)