TMS320VC5402芯片结构 ● (1)存储空间 >多总线结构。片内有3条16位数据总线(CB、DB、EB)、1条16位的程序总线 (PB)、以及4条对应的地址总线(PAB、CAB、DAB、EAB)。 >地址线20根，可寻址程序空间M字，数据和/O空间各64K字。 >片内ROM容量为4K×16位(5402A是16K×16位) >片内双寻址RAM(DARAM)容量为16KX16位。 （2)在片内外围电路 >软件可编程等待状态发生器和可编程分区切换逻辑电路。 >带有内部振荡器或用外部时钟源的片内锁相环(PLL)时钟发生器。 >2个高速、全双工多通道缓冲串行口(McBSP) (5402A是3个) > 增强型8位并行主机接口(HPI8) >2个16位定时器)(5402A是1个) >6通道DMA控制器 >具有符合EEE1149.1标准的在片仿真接口JTAG。 (3)电源、时钟与封装 >单周期定点指令的执行周期为10ns(100MIPS)(5402A是160MHz,6.25ns) >I/O电源电压3.3V,内核1.8V(5402A是1.6V) >可用IDLE1、IDLE2、IDLE3指令控制芯片功耗以工作在省电方式。 >144引脚的薄形四边形引脚扁平封装(LQFP)或144脚的球栅阵列封装（BA)。• TMS320VC5402芯片结构 • （1）存储空间 ➢ 多总线结构。片内有3条16位数据总线（CB、DB、EB）、1条16位的程序总线 （PB）、以及4条对应的地址总线(PAB、 CAB、DAB、EAB)。 ➢ 地址线20根，可寻址程序空间1M字，数据和I/O空间各64K字。 ➢ 片内ROM容量为4K×16位（5402A是16K×16位） ➢ 片内双寻址RAM(DARAM)容量为16K×16位。 • （2）在片内外围电路 ➢ 软件可编程等待状态发生器和可编程分区切换逻辑电路。 ➢ 带有内部振荡器或用外部时钟源的片内锁相环（PLL）时钟发生器。 ➢ 2个高速、全双工多通道缓冲串行口（McBSP）（5402A是3个） ➢ 增强型8位并行主机接口（HPI8） ➢ 2个16位定时器）（5402A是1个） ➢ 6通道DMA控制器 ➢ 具有符合IEEE1149.1标准的在片仿真接口JTAG。 • （3）电源、时钟与封装 ➢ 单周期定点指令的执行周期为10ns（100MIPS）(5402A是160 MHz, 6.25ns) ➢ I/O电源电压3.3V，内核1.8V（5402A是 1.6V） ➢ 可用IDLE1、IDLE2、IDLE3指令控制芯片功耗以工作在省电方式。 ➢ 144引脚的薄形四边形引脚扁平封装（LQFP）或144脚的球栅阵列封装（BGA）。 11