4、E2PROM利用叠层栅管的隧道效应 D1接地,G1接高压俘获电子;G1接地,D1接高压 释放电荷。用高压脉冲, 不用紫外线。 浮擦写 (多晶硅)(多最硅) SO2极薄层 字线 W +21V 位 线 T G a)部面示意图 )浮姗俘获电子示意图 图7-4-6EEPR(M 图7-4-7 EEPROM存储单元中的T 存储单元4、E2PROM 利用叠层栅管的隧道效应 D1接地，G1接高压俘获电子； G1接地，D1接高压 释放电荷。用高压脉冲， 不用紫外线