冷金属有机化学汽相淀积(M0CVD)是在汽相外延生 长(VPE)的基础上发展起来的一种新型汽相外延 生长技术。它采用Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和 V族元素的氢化物等作为晶体生长原料,以热分解 反应方式在衬底上进行汽相外延,生长各种Ⅲ-V 族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体 的薄膜层单晶材料。MCⅦ是在常压或低压 (≈10kPa)下于通H2的冷壁石英反应器中进行, 衬底温度为600-800℃,用射频加热石墨支架,H2气 通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长 区。一般的M0CⅦ设备都由源供给系统、气体输运 和流量控制系统、反应室及温度控制系统、尾气处 理和安全防护及毒气报警系统构成。❖ 金属有机化学汽相淀积（MOCVD）是在汽相外延生 长（VPE）的基础上发展起来的一种新型汽相外延 生长技术。它采用Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和 Ⅴ族元素的氢化物等作为晶体生长原料，以热分解 反应方式在衬底上进行汽相外延，生长各种Ⅲ-Ⅴ 族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体 的薄膜层单晶材料。MOCVD是在常压或低压 （≈10kPa）下于通H2的冷壁石英反应器中进行， 衬底温度为600-800℃，用射频加热石墨支架，H2气 通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长 区。一般的MOCVD设备都由源供给系统、气体输运 和流量控制系统、反应室及温度控制系统、尾气处 理和安全防护及毒气报警系统构成