(3)集电区对发射区扩散电子的收集 ◆因为集电结反偏，将扩散 CN 到集电区边缘的电子拉入 集电区→形成电流IcN。 b ◆集电区的少子向基区 VBB 漂移→漂移电流ICBO。 e IEN EP I IE BI CN I CI CBO ◆ 因为集电结反偏 I , 将扩散 到集电区边缘的电子拉入 集电区形成电流ICN 。 ◆集电区的少子向基区 漂移漂移电流ICBO。 N N P V BB VCC Rb R C e b c (3)集电区对发射区扩散电子的收集 IBN