双极结型三极管及放大电路基础 4 4.1半导体三极管（BJT) 4.2基本共射极放大电路 4.3放大电路的分析方法 4.4放大电路的静态工作点稳定问题 4.5共集电极电路和共基极电路 4.6组合放大电路 4.7放大电路的频率响应
4.1 半导体三极管（BJT） 4.2 基本共射极放大电路 4.3 放大电路的分析方法 4.4 放大电路的静态工作点稳定问题 4.5 共集电极电路和共基极电路 4.6 组合放大电路 4.7 放大电路的频率响应
4.1 The Bipolar Junction Transistor (BJT) 4.1.1BJT的结构简介 4.1.2BJT的放大原理 4.1.3BJT的特性曲线 4.1.4BJT的主要参数 4.1.5温度对BJT参数及特性的影响 4.1.6BJT的型号
4.1.1 BJT的结构简介 4.1 The Bipolar Junction Transistor (BJT) 4.1.2 BJT的放大原理 4.1.3 BJT的特性曲线 4.1.4 BJT的主要参数 4.1.5 温度对BJT参数及特性的影响 4.1.6 BJT的型号
4.1.1 Structure of BJT l.BJT(Bipolar Junction Transistor):工作时 多子和少子都参与运行。又称晶体三极管 -Transistor。 2.BJT的外形 金属圆壳封装三极管 塑料封装三极管 大功率三极管
4.1.1 Structure of BJT 1. BJT (Bipolar Junction Transistor): 工作时 多子和少子都参与运行。又称晶体三极管 －Transistor 。 2. BJT的外形 金属圆壳封装三极管 塑料封装三极管 大功率三极管
3.BJT的结构 ◆类型：NPN型和PNP型 Collector NPN型 Collector PNP型 发射结集电结 发射结集电结 eo N eo P N 发射极 发射区基区集电区 集电极 发射极 发射☒基区集电区 集电极 Emitter 基极 Base Emitter 基极Base b ◆符号 b b 发射极的箭头代表发射极电流的实际方向
◆符号 - - - b e c - - - e b c NPN型 - - N P N 发射区 基区 集电区 发射结集电结 e c b 发射极 集电极 基极 3. BJT的结构 ◆类型: NPN型 和 PNP型 Emitter Base PNP型 - - P N P 发射区 基区 集电区 发射结集电结 e c b 发射极 集电极 Emitter 基极 Base Collector Collector 发射极的箭头代表发射极电流的实际方向
◆3个电极：b、c、e ◆3个区：集电区、基区、发射区 ◆2个PN结：集电结、发射结 oc 集电极 集电区 集电结 b 基区 基极 N 发射结 e 发射区 发射极
b c e e 发射极 b 基极 c 集电极 N 集电区 P 基区 N 发射区 集电结 发射结 ◆3 个电极：b、c、e ◆ 3个区：集电区、基区、发射区 ◆ 2个PN结：集电结、发射结
4.半导体三极管的结构特点 发射结 集电结 ◆发射区的掺杂浓度 发射区 最高； ◆集电区掺杂浓度低 于发射区，且集电 结面积大； 集电区 基区 NPN管结构剖面图 ◆基区掺杂浓度最低且制造得很薄，厚度一般在几个 微米至几十个微米
◆发射区的掺杂浓度 最高； ◆集电区掺杂浓度低 于发射区，且集电 结面积大； ◆基区掺杂浓度最低且制造得很薄, 厚度一般在几个 微米至几十个微米。 4. 半导体三极管的结构特点 NPN管结构剖面图 集电区 基区 发射区 发射结 集电结
4.1.2BJT的放大原理 1.BJT放大作用的条件 ◆BJT实现放大作用是在一定的外部条件控制下， 通过载流子传输体现出来的。 ◆实现放大作用的条件 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 内部条件：发射区高掺杂，基区很薄。 ◆发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区：传送和控制载流子
4.1.2 BJT的放大原理 1. BJT放大作用的条件 ◆实现放大作用的条件 外部条件: 发射结正偏，集电结反偏。 内部条件: 发射区高掺杂，基区很薄。 ◆ BJT实现放大作用是在一定的外部条件控制下, 通过载流子传输体现出来的。 ◆发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基 区：传送和控制载流子
2.三极管的组态 *共发射极接法：发射极作为公共电极，用CE表示。 *共基极接法：基极作为公共电极，用CB表示。 *共集电极接法：集电极作为公共电极，用CC表示。 E b CE CB
2. 三极管的组态 共集电极接法: 集电极作为公共电极，用CC表示。 共基极接法: 基极作为公共电极，用CB表示。 共发射极接法: 发射极作为公共电极，用CE表示
3.外部条件说明：若BJT工作在放大工作状态 ◆发射结正偏 NPN管：VB>VE,硅管VBE≈0.6~0.8V PNP管：VgVB PNP管：VcVB>VE,硅管VBE≈0.60.8V PNP管：Vc<VB<VE,锗管VBE≈-0.2~-0.3V
3. 外部条件说明: 若BJT工作在放大工作状态 ◆发射结正偏 NPN管: VB ＞ VE ，硅管 VBE≈0. 6～0. 8V PNP管: VB ＜ VE ，锗管 VBE≈－0. 2～－0. 3V ◆集电结反偏 NPN管: VC ＞ VB PNP管: VC ＜ VB ◆三个电极的电位关系 NPN管: VC＞VB＞VE ，硅管VBE≈0.6～0. 8V PNP管: VC＜VB＜VE ，锗管VBE≈－0. 2～－0. 3V
例1某放大其中三极管3个电极的电位分别为V,=-6V, V2=-11.3V和V3=-12V。则该三极管为硅管还是锗管？ 是NPN还是PNP管？b、c、e三个电极？ ◆V2一V3=0.7V→硅管，而且2、3脚中一脚为b极， 另一脚为e极，1脚为c极。 ◆1脚为c极，且电位最高 ◆NPN管c极电位最高 该管为NPN管 ◆NPN管Vc>VB>VE→1/2/3脚分别为c/b/e极
例1 某放大其中三极管3个电极的电位分别为V1 =-6V, V2 =-11.3V 和 V3 =-12V。则该三极管为硅管还是锗管？ 是NPN还是PNP管？b、c、e三个电极？ ◆V2－V3＝0.7V 硅管, 而且2、3脚中一脚为b极， 另一脚为e极，1脚为c极。 ◆1脚为c极，且电位最高 NPN管c极电位最高 该管为NPN管 ◆ NPN管VC＞VB＞VE 1/2/3脚分别为c/b/e极