,1444 北京科技大学学报 第31卷 的V山和Va也有较大幅度的降低，在质量分数为 ◆-001%SWNT 0.05%时Vh和Va最低，同时对比度也有较大幅 ·-003%SWNT -005%SWNT 度的降低，另外，ton和t普遍增加， +-010%SWNT 0%SWNT 110 100 电压V 图1掺杂不同质量分数的单壁碳纳米管的TN液晶显示模式液 晶盒的透过率随电压的变化曲线 Fig-1 Applied voltage totransmittance curves of TN liquid crystal 0.020.040060080.100.12 display mode cells doped with different SWNT mass fractions SwWN丁质量分数% 18 图4掺杂单壁碳纳米管的TN液晶显示模式液晶盒的tm和t 1.61 随单壁碳纳米管质量分数的变化曲线 1.4 Fig.4 SWNT mass fraction to-ton and t curves of TN liquid crys- 12 tal display mode cells doped with SWNT 1.0 08 2.2多壁碳纳米管对TN液晶显示模式液晶盒电一 0.6 光性能的影响 图5为掺杂不同质量分数(0.00%、0.01%、 0.03%、0.05%和0.10%)的多壁碳纳米管的TN 0020040.060.08 0.100.12 SWNT质量分数% 液晶显示模式液晶盒的透过率随电压的变化曲线 图6为掺杂多壁碳纳米管的TN液晶显示模式液晶 图2掺杂单壁碳纳米管的TN液晶显示模式液晶盒的V和 盒的Vh和Vat随多壁碳纳米管质量分数的变化曲 V随单壁碳纳米管质量分数的变化曲线 线.图7为掺杂多壁碳纳米管的TN液晶显示模式 Fig.2 SWNT mass fraction to-Vh and V curves of TN liquid 液晶盒的对比度随多壁碳纳米管质量分数的变化曲 crystal display mode cells doped with SWNT 线，图8为掺杂多壁碳纳米管的TN液晶显示模式 液晶盒的tom和tt随多壁碳纳米管质量分数的变化 100 曲线，从图5至图8可以看出，多壁碳纳米管对TN 液晶显示模式液晶盒的电一光性能的影响大致同于 60 单壁碳纳米管，即掺杂了多壁碳纳米管后，TN液晶 100 40 -0.01%MWNT ·-0.03%MWNT 20 -0.05%MWNT 60 -010%MWNT +一%MWNT 0.020.040.060.080.100.12 SWNT质量分数% 40 图3掺杂单壁碳纳米管的TN液晶显示模式液晶盒的对比度随 20 单壁碳纳米管质量分数的变化曲线 Fig.3 SWNT mass fraction to contrast ratio curves of TN liquid 2 电压V crystal display mode cells doped with SWNT 图5掺杂不同质量分数的多壁碳纳米管的TN液晶显示模式液 米管后，电压一透过率曲线的陡度明显增加，比纯 晶盒的透过率随电压的变化曲线 TN液晶显示模式液晶盒的陡度有明显的改善，更 Fig.5 Applied voltageto transmittance curves of TN liquid crystal 加适合多路驱动的要求，TN液晶显示模式液晶盒 display mode cells doped with different MWNT mass fractions图1 掺杂不同质量分数的单壁碳纳米管的 T N 液晶显示模式液 晶盒的透过率随电压的变化曲线 Fig．1 Applied voltage-to-transmittance curves of T N liquid crystal display mode cells doped with different SWNT mass fractions 图2 掺杂单壁碳纳米管的 T N 液晶显示模式液晶盒的 V th和 V sat随单壁碳纳米管质量分数的变化曲线 Fig．2 SWNT mass fraction-to-V th and V sat curves of T N liquid crystal display mode cells doped with SWNT 图3 掺杂单壁碳纳米管的 T N 液晶显示模式液晶盒的对比度随 单壁碳纳米管质量分数的变化曲线 Fig．3 SWNT mass fraction-to-contrast ratio curves of T N liquid crystal display mode cells doped with SWNT 米管后‚电压－透过率曲线的陡度明显增加‚比纯 TN 液晶显示模式液晶盒的陡度有明显的改善‚更 加适合多路驱动的要求．TN 液晶显示模式液晶盒 的 V th和 V sat也有较大幅度的降低‚在质量分数为 0∙05％时 V th和 V sat最低．同时对比度也有较大幅 度的降低．另外‚ton和 toff普遍增加． 图4 掺杂单壁碳纳米管的 T N 液晶显示模式液晶盒的 ton和 toff 随单壁碳纳米管质量分数的变化曲线 Fig．4 SWNT mass fraction-to-ton and toff curves of T N liquid crys￾tal display mode cells doped with SWNT 2∙2 多壁碳纳米管对 TN 液晶显示模式液晶盒电－ 光性能的影响 图5 掺杂不同质量分数的多壁碳纳米管的 T N 液晶显示模式液 晶盒的透过率随电压的变化曲线 Fig．5 Applied voltage-to-transmittance curves of T N liquid crystal display mode cells doped with different MWNT mass fractions 图5为掺杂不同质量分数（0∙00％、0∙01％、 0∙03％、0∙05％和0∙10％）的多壁碳纳米管的 TN 液晶显示模式液晶盒的透过率随电压的变化曲线． 图6为掺杂多壁碳纳米管的 TN 液晶显示模式液晶 盒的 V th和 V sat随多壁碳纳米管质量分数的变化曲 线．图7为掺杂多壁碳纳米管的 TN 液晶显示模式 液晶盒的对比度随多壁碳纳米管质量分数的变化曲 线．图8为掺杂多壁碳纳米管的 TN 液晶显示模式 液晶盒的 ton和 toff随多壁碳纳米管质量分数的变化 曲线．从图5至图8可以看出‚多壁碳纳米管对 TN 液晶显示模式液晶盒的电－光性能的影响大致同于 单壁碳纳米管‚即掺杂了多壁碳纳米管后‚TN 液晶 ·1444· 北 京 科 技 大 学 学 报 第31卷