致。 调节赫姆霍兹线圈电流为零，按复位健恢复传感器特性，调节补偿电流使传感器输出为 零。调节赫姆霍兹线圈电流至300mA,使线圈产生的磁感应强度6高斯，调节放大器校准 旋钮，使输出电压为1.500伏 2.磁阻传感器特性测量 测量磁阻传感器的磁电转换特性。栋姆霍兹线圈电流从300A逐步调小，记录相应的输 出电压值。切换电流换向开关，逐步调大反向电流，记录反向输出电压值。注意：电流换向 后，必须按复位按键消磁。 测量磁阻传感器的各向异性特性。将赫姆霍兹线圈电流调节至200mA,测量磁场与磁 敏感方向不同夹角的输出电压。由于补偿调节是在确定的磁敏感方向进行的，实验过程中应 注意在改变所测磁场方向时，保持AR方向不变。松开线圈水平旋转锁紧螺钉，每次将赫姆 霍兹线圈与传感器盒整体转动10度后锁紧，松开传感器水平旋转锁紧螺钉，将传感器盒向 相反方向转动10度（保持AR方向不变）后锁紧。 3.赫姆霍兹线围的磁场分布测量 赫姆霍兹线圈轴线上的磁场分布测量。根据毕奥一萨伐尔定律，可以计算出通电圆线圈 在轴线上任意一点产生的磁感应强度矢量垂直于线圈平面，方向由右手螺旋定则确定，与线 圈平面距离为X的点的磁感应强度为： 4R21 )=2R+x严 赫姆霍兹线圈是由一对彼此平行的共轴圆形线圈组成。两线圈内的电流方向一致，大小 相同，线圈匝数为N,线圈之间的距离d正好等于圆形线圈的半径R,若以两线图中点为坐 标原点，则轴线上任意一点的磁感应强度是两线圈在该点产生的磁感应强度之和： B(x)= HoNR2I R++2R+号- 52 式中B是X=0时，即赫娟霍兹线圈公共轴线中点的磁感应强度。调节传感器磁敏感方 向与赫姆霍兹线圈轴线一致，位置调节至赫姆霍兹线圈中心(X=0),测量输出电压值。已 知R=140mm,将传感器盒每次沿轴线平移0.1R,记录测量数据。讨论赫姆霍兹线圈的轴向致。 调节赫姆霍兹线圈电流为零，按复位键恢复传感器特性，调节补偿电流使传感器输出为 零。调节赫姆霍兹线圈电流至 300mA，使线圈产生的磁感应强度 6 高斯，调节放大器校准 旋钮，使输出电压为 1 .500 伏。 2. 磁阻传感器特性测量 测量磁阻传感器的磁电转换特性。赫姆霍兹线圈电流从 300mA 逐步调小，记录相应的输 出电压值。切换电流换向开关，逐步调大反向电流，记录反向输出电压值。注意：电流换向 后，必须按复位按键消磁。 测量磁阻传感器的各向异性特性。将赫姆霍兹线圈电流调节至 200mA，测量磁场与磁 敏感方向不同夹角的输出电压。由于补偿调节是在确定的磁敏感方向进行的，实验过程中应 注意在改变所测磁场方向时，保持 AMR 方向不变。松开线圈水平旋转锁紧螺钉，每次将赫姆 霍兹线圈与传感器盒整体转动 10 度后锁紧，松开传感器水平旋转锁紧螺钉，将传感器盒向 相反方向转动 10 度（保持 AMR 方向不变）后锁紧。 3. 赫姆霍兹线圈的磁场分布测量 赫姆霍兹线圈轴线上的磁场分布测量。根据毕奥－萨伐尔定律，可以计算出通电圆线圈 在轴线上任意一点产生的磁感应强度矢量垂直于线圈平面，方向由右手螺旋定则确定，与线 圈平面距离为 X1的点的磁感应强度为： 2 0 1 2 2 3/ 2 1 ( ) 2( ) R I B x R x    赫姆霍兹线圈是由一对彼此平行的共轴圆形线圈组成。两线圈内的电流方向一致，大小 相同，线圈匝数为 N，线圈之间的距离 d 正好等于圆形线圈的半径 R，若以两线圈中点为坐 标原点，则轴线上任意一点的磁感应强度是两线圈在该点产生的磁感应强度之和： 2 2 0 0 2 2 3/ 2 2 2 3/ 2 3/ 2 0 2 3/ 2 2 3/ 2 ( ) 2[ ( ) ] 2[ ( ) ] 2 2 5 1 1 { } 16 1 1 [1 ( ) ] [1 ( ) ] 2 2 NR I NR I B x R R R x R x B x x R R               式中 B0是 X＝0 时，即赫姆霍兹线圈公共轴线中点的磁感应强度。调节传感器磁敏感方 向与赫姆霍兹线圈轴线一致，位置调节至赫姆霍兹线圈中心（X＝0），测量输出电压值。已 知 R=140mm，将传感器盒每次沿轴线平移 0.1R，记录测量数据。讨论赫姆霍兹线圈的轴向