第四章纳米CMOS器件中的栅工程 栅电极层、栅介质层和Si衬底构成的MIS结构称为栅结构。 其中栅电极层的功函数、栅介质层的厚度、介电常数、介 质层电荷及界面缺陷态度等因素直接决定着CMOS器件的 特性。 栅电极层为重掺杂的多晶硅和硅化物的复合结构，栅介质 为高质量的热氧化Si0,其氧化层电荷和界面缺陷态密度 均很低。 CMOS器件栅工程即是通过栅结构和栅材料的优化选择， 提高器件性能。• 栅电极层、栅介质层和Si衬底构成的MIS结构称为栅结构。 • 其中栅电极层的功函数、栅介质层的厚度、介电常数、介 质层电荷及界面缺陷态度等因素直接决定着CMOS器件的 特性。 • 栅电极层为重掺杂的多晶硅和硅化物的复合结构，栅介质 为高质量的热氧化SiO2，其氧化层电荷和界面缺陷态密度 均很低