CMOS器件中的MⅡS栅结构 MIS结构一MOSFET器件的重要组成部分。 MIS(Metal Insulator Semiconductor,金属-绝缘层-半导体) 栅电极通常由多晶硅-金属硅化物的复合结构构成。 栅介质与栅电极和$沟道之间的两个界面对于器件的性质起 到着至关重要作用。 Silicide 料精电极 PolySilicon 上界血层 Si02 概介层 下界面层 t 沟道 P Si村底 Silicides:WSi2,TiSi2,PtSi2 and TaSi Conductivity:8-10 times better than Polysilicon 图4.1 MOSFET中与MIS栅结构 Polycide Gate MOSFET 相关部分的示意图• MIS结构——MOSFET器件的重要组成部分。 • MIS （Metal Insulator Semiconductor，金属-绝缘层-半导体） • 栅电极通常由多晶硅-金属硅化物的复合结构构成。 • 栅介质与栅电极和Si沟道之间的两个界面对于器件的性质起 到着至关重要作用。 Polycide Gate MOSFET