上界面层可以阻止多晶硅中硼等杂质扩散，提高可靠性。 下界面紧邻沟道，需减少界面缺陷密度提高迁移率，且可 阻挡热载流子注入。 Sheet Resistance Material Sheet Resistance (/ n-or p-well diffusion 1000-1500 n",p*diffusion 50-150 n',p diffusion with silicide 3-5 n,p*polysilicon 150-200 n,p polysilicon with silicide 4-5 Aluminum 0.05-0.1 3上界面层可以阻止多晶硅中硼等杂质扩散，提高可靠性。 下界面紧邻沟道，需减少界面缺陷密度提高迁移率，且可 阻挡热载流子注入