栅介质、栅电极、S沟道之间的两个界面厚度通常在几个 埃的数量级，是栅电极、栅介质和S沟道之间材料的过渡。 当界面层的厚度与栅介质层的厚度接近时，界面层将直接 影响总的栅电容的大小，从而影响着MOSFET器件的性 能。这些界面层还可以加以利用以获得某些所需的作用 栅介质层：热氧化硅(SiO,) —新型栅介质材料如氮化 二氧化硅材料一高K栅介质材料。 MIS结构中栅介层的厚度t。决定了单位面积栅电容，表面 量子化效应和多晶硅耗尽效应等的影响，使栅电容降 低 等效的介质层厚度增加一 等效电容厚度CET增• 栅介质、栅电极、Si沟道之间的两个界面厚度通常在几个 埃的数量级，是栅电极、栅介质和Si沟道之间材料的过渡。 • 当界面层的厚度与栅介质层的厚度接近时，界面层将直接 影响总的栅电容的大小，从而影响着MOSFET器件的性 能。这些界面层还可以加以利用以获得某些所需的作用。 • 栅介质层：热氧化硅（SiO2）——新型栅介质材料如氮化 二氧化硅材料——高K栅介质材料。 • MIS结构中栅介层的厚度tox决定了单位面积栅电容，表面 量子化效应和多晶硅耗尽效应等的影响，使栅电容降 低 ——等效的介质层厚度增加——等效电容厚度CET增 加