输出特性曲线可以分为三个区域: 饱和区—受vcE显著控制的区域,该区域内vE的 数值较小,一般vcε<0.7V(硅管)。此时 发射结正偏,集电结正偏或反偏电压很小。 截止区—i接近零的区域,相当=0的曲线的下方。 此时,发射结反偏,集电结反偏。 Ic/mA 饱和区 放大区—i平行于v轴的区域, 曲线基本平行等距。此时,发 l2=80μA 射结正偏,集电结反偏,电压大于 放大区 0.7V左右(硅管) k1=40A 2 l=0截止区 VCE/V输出特性曲线可以分为三个区域: 饱和区——iC受vCE显著控制的区域，该区域内vCE的 数值较小，一般vCE＜0.7V(硅管)。此时 发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。 截止区——iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。 此时，发射结反偏，集电结反偏。 放大区——iC平行于vCE轴的区域， 曲线基本平行等距。 此时，发 射结正偏，集电结反偏，电压大于 0.7V左右(硅管)