当vcε增加到使集电结反偏电压较大时,如 CE 1V VDE >O7V 运动到集电结的电子乙/mA 基本上都可以被集电 饱和区 区收集,此后vc再增 4B2=80HA 加,电流也没有明显 432 放大区 B1=40A 的增加,特性曲线进 入与v轴基本平行的 =0截止区 区域(这与输入特性曲 线随vc增大而右移的图02.06共发射极接法输出特性曲线 原因是一致的)。(动画2-2)当vCE增加到使集电结反偏电压较大时，如 vCE ≥1V vBE ≥0.7V 运动到集电结的电子 基本上都可以被集电 区收集，此后vCE再增 加，电流也没有明显 的增加，特性曲线进 入与vCE轴基本平行的 区域 (这与输入特性曲 线随vCE增大而右移的 图02.06 共发射极接法输出特性曲线 原因是一致的) 。（动画2-2）